半导体 组件 industries, llc, 2002
六月, 2002 – rev. 2
1
发行 顺序 号码:
1n6373/d
Unidirectional*
mosorb 设备 是 设计 至 保护 电压 敏感的
组件 从 高 电压, high–energy 过往旅客. 它们 有
极好的 夹紧 能力, 高 surge 能力, 低 齐纳
阻抗 和 快 回馈 时间. 这些 设备 是
在 半导体’s 独有的, 费用-有效的, 高级地 可依靠的
Surmetic
轴的 含铅的 包装 和 是 ideally-suited 为 使用 在
交流 系统, numerical 控制, 处理 控制,
medical 设备, 业务 machines, 电源 供应 和 许多
其它 工业的/消费者 产品, 至 保护 cmos, mos 和
双极 整体的 电路.
规格 特性:
•
working 顶峰 反转 电压 范围 – 5 v 至 45 v
•
顶峰 电源 – 1500 watts @ 1 ms
•
静电释放 比率 的 类 3 (>16 kv) 每 人 身体 模型
•
最大 clamp 电压 @ 顶峰 脉冲波 电流
•
低 泄漏 < 5
一个 在之上 10 v
•
回馈 时间 是 典型地 < 1 ns
机械的 特性:
情况:
void-自由, 转移-模塑的, thermosetting 塑料
完成:
所有 外部 surfaces 是 corrosion resistant 和 leads 是
readily solderable
最大 含铅的 温度 为 焊接 目的:
230
°
c, 1/16
″
从 这 情况 为 10 秒
极性:
cathode 表明 用 极性 带宽
挂载 位置:
任何
最大 比率
比率 标识 值 单位
顶峰 电源 消耗 (便条 1.)
@ t
L
≤
25
°
C
P
PK
1500 Watts
稳步的 状态 电源 消耗
@ t
L
≤
75
°
c, 含铅的 长度 = 3/8
″
derated 在之上 t
L
= 75
°
C
P
D
5.0
20
Watts
mw/
°
C
热的 阻抗, junction–to–lead R
JL
20
°
c/w
向前 surge 电流 (便条 2.)
@ t
一个
= 25
°
C
I
FSM
200 放大器
运行 和 存储
温度 范围
T
J
, t
stg
– 65 至
+175
°
C
*please 看 1n6382 – 1n6389 (icte–10c – icte–36c, mpte–8c – mpte–45c)
为 双向的 设备
轴的 含铅的
情况 41a
塑料
l = 组装 location
mpte–xx = 在 设备 代号
icte–xx = 在 设备 代号
1n63xx = 电子元件工业联合会 设备 代号
yy = 年
ww = 工作 week
Cathode Anode
设备 包装 Shipping
订货 信息
MPTE–xx 轴的 含铅的 500 单位/盒
MPTE–xxRL4 轴的 含铅的
1500/录音带 &放大; 卷轴
ICTE–xx 轴的 含铅的 500 单位/盒
ICTE–xxRL4 轴的 含铅的
1500/录音带 &放大; 卷轴
注释:
L
ICTE
–xx
YYWW
1N63xx 轴的 含铅的 500 单位/盒
1N63xxRL4* 轴的 含铅的
1500/录音带 &放大; 卷轴
L
MPTE
–xx
1N
63xx
YYWW
1. nonrepetitive 电流 脉冲波 每 图示 5 和 der-
ated 在之上 t
一个
= 25
°
c 每 图示 2.
2. 1/2 sine 波 (或者 相等的 正方形的 波), pw =
8.3 ms, 职责 循环 = 4 脉冲 每 分钟 maxi-
mum.
http://onsemi.com
*1n6378 不 有 在 1500/录音带 &放大; 卷轴
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