数据 薄板 e0149n10
11
µ
µµ
µ
pd4564441, 4564841, 4564163
图.1 模式 寄存器 设置 command
/我们
/cas
/ras
/cs
CKE
CLK
H
增加
A10
a12, a13
图.2行 地址 strobe 和
bank 活动 command
/我们
/cas
/ras
/cs
CKE
CLK
H
增加
A10
a12, a13
行
行
(bank 选择)
图.3 precharge command
/我们
/cas
/ras
/cs
CKE
CLK
H
增加
A10
a12, a13
(bank 选择)
(precharge 选择)
2. commands
模式 寄存器 设置 command
(/cs, /ras, /cas, /我们 = low)
这
µ
PD4564xxx 有 一个 mode 寄存器 那 定义 如何 这 设备
运作. 在 这个 command, A0 通过 A13 是 这 数据 输入 管脚.
之后 电源 在, 这 模式 寄存器 设置 command 必须 是 executed 至
initialize 这 设备.
这 模式 寄存器 能 是 设置 仅有的 当 所有 banks 是 在 空闲 状态.
在 2 CLK (t
RSC
) 下列的 这个 command, 这
µ
PD4564xxx cannot
接受 任何 其它 commands.
活动 command
(/cs, /ras = 低, /cas, /we = 高)
这
µ
PD4564xxx 有 四 banks, 各自 和 4,096 rows.
这个 command activates 这 bank 选择 用 a12 和 a13 (bs) 和 一个
行 地址 选择 用 a0 通过 a11.
这个 command corresponds 至 一个 常规的 dram’s /ras 下落.
precharge command
(/cs, /ras, /我们 = 低, /cas = high)
这个 command begins precharge 运作 的 这 bank 选择 用
a12 和 a13 (bs). 当 a10 是 高, 所有 banks 是 precharged,
regardless 的 a12 和 a13. 当 a10 是 低, 仅有的 这 bank 选择
用 a12 和 a13 是 precharged.
之后 这个 command, 这
µ
PD4564xxx 能’t accept 这 活动
command 至 这 precharging bank 在 t
RP
(precharge 至 活动
command 时期).
这个 command corresponds 至 一个 常规的 dram’s /ras rising.