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资料编号:773221
 
资料名称:NAND128W3A2BN6E
 
文件大小: 916K
   
说明
 
介绍:
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
nand128-一个, nand256-一个, nand512-一个, nand01g-一个
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信号 描述
图示 2., 逻辑 图解, 和表格
3., 信号 names, 为 一个 brief overview 的 这 sig-
nals 连接 至 这个 设备.
输入/输出 (i/o0-i/o7).
输入/输出 0 至 7
是 使用 至 输入 这 选择 地址, 输出 这
数据 在 一个 读 运作 或者 输入 一个 command
或者 数据 在 一个 写 运作. 这 输入 是
latched 在 这 rising 边缘 的 写 使能. i/o0-i/
o7 是 left floating 当 这 设备 是 deselected
或者 这 输出 是 无能.
输入/输出 (i/o8-i/o15).
输入/输出 8 至
15 是 仅有的 有 在 x16 设备. 它们 是
使用 至 输出 这 数据 在 一个 读 运作 或者
输入 数据 在 一个 写 运作. command 和
地址 输入 仅有的 需要 i/o0 至 i/o7.
这 输入 是 latched 在 这 rising 边缘 的 写
使能. i/o8-i/o15 是 left floating 当 这 de-
恶行 是 deselected 或者 这 输出 是 无能.
地址 获得 使能 (al).
这 地址 获得
使能 activates 这 闭锁 的 这 地址 输入
在 这 command 接口. 当 al 是 高, 这
输入 是 latched 在 这 rising 边缘 的 写 en-
能.
command 获得 使能 (cl).
这 command
获得 使能 activates 这 闭锁 的 这 com-
mand 输入 在 这 command 接口. 当 cl
是 高, 这 输入 是 latched 在 这 rising 边缘 的
写 使能.
碎片 使能 (e
).
这 碎片 使能 输入 acti-
vates 这 记忆 控制 逻辑, 输入 缓存区, de-
coders 和 sense 放大器. 当 碎片 使能 是
低, v
IL
, 这 设备 是 选择.
当 这 设备 是 busy 程序编制 或者 erasing,
碎片 使能 transitions 至 高, v
IH
, 是 ignored
和 这 设备 做 不 revert 至 这 备用物品
模式.
当 这 设备 是 busy 读:
这 碎片 使能 输入 应当 是 使保持 低
在 这 全部的 busy 时间 (t
BLBH1
) 为
设备 那 做 不 呈现 这 碎片 使能
don’t 小心 选项. 否则, 这 读
运作 在 progress 是 interrupted 和 这
设备 reverts 至 这 备用物品 模式.
为 设备 那 特性 这 碎片 使能 don't
小心 选项, 碎片 使能 going 高 在
这 busy 时间 (t
BLBH1
) 将 不 中断 这
读 运作 和 这 设备 将 不 revert 至
这 备用物品 模式.
读 使能 (r
).
这 读 使能, r, 控制
这 sequential 数据 输出 在 读 opera-
tions. 数据 是 有效的 t
RLQV
之后 这 下落 边缘 的 r.
这 下落 边缘 的 r
也 increments 这 内部的
column 地址 计数器 用 一个.
写 使能 (w
).
这 写 使能 输入, w,
控制 writing 至 这 command 接口, 输入
地址 和 数据 latches. 两个都 地址 和
数据 是 latched 在 这 rising 边缘 的 写 en-
能.
在 电源-向上 和 电源-向下 一个 恢复 时间
的 1µs (最小值) 是 必需的 在之前 这 command inter-
面向 是 准备好 至 接受 一个 command. 它 是 recom-
mended 至 保持 写 使能 高 在 这
恢复 时间.
写 保护 (wp
).
这 写 保护 管脚 是 一个
输入 那 给 一个 硬件 保护 相反 un-
wanted 程序 或者 擦掉 行动. 当 写
保护 是 低, v
IL
, 这 设备 做 不 接受 任何
程序 或者 擦掉 行动.
它 是 推荐 至 保持 这 写 保护 管脚
低, v
IL
, 在 电源-向上 和 电源-向下.
准备好/busy (rb
).
这 准备好/busy 输出, rb,
是 一个 打开-流 输出 那 能 是 使用 至 identify
如果 这 p/e/r 控制 是 目前 起作用的.
当 准备好/busy 是 低, v
OL
, 一个 读, 程序 或者
擦掉 运作 是 在 progress. 当 这 运作
完成 准备好/busy 变得 高, v
OH
.
这 使用 的 一个 打开-流 输出 准许 这 准备好/
busy 管脚 从 一些 memories 至 是 连接
至 一个 单独的 拉-向上 电阻. 一个 低 将 然后 表明
那 一个, 或者 更多, 的 这 memories 是 busy.
谈及 至 这准备好/busy 信号 电的 charac-
teristics部分 为 详细信息 在 如何 至 计算 这
值 的 这 拉-向上 电阻.
V
DD
供应 电压.
V
DD
提供 这 电源
供应 至 这 内部的 核心 的 这 记忆 设备.
它 是 这 主要的 电源 供应 为 所有 行动 (读,
程序 和 擦掉).
一个 内部的 电压 探测器 使不能运转 所有 功能
whenever v
DD
是 在下 2.5v (为 3v 设备) 或者
1.5v (为 1.8v 设备) 至 保护 这 设备 从
任何 involuntary 程序/擦掉 在 电源-tran-
sitions.
各自 设备 在 一个 系统 应当 有 v
DD
decou-
pled 和 一个 0.1µf 电容. 这 pcb 追踪 widths
应当 是 sufficient 至 carry 这 必需的 程序
和 擦掉 电流
V
SS
地面.
地面, v
ss,
是 这 涉及 为
这 电源 供应. 它 必须 是 连接 至 这 sys-
tem 地面.
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