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nand128-一个, nand256-一个, nand512-一个, nand01g-一个
总线 行动
那里 是 六 标准 总线 行动 那 控制
这 记忆. 各自 的 这些 是 描述 在 这个
部分, 看表格 5., 总线 行动, 为 一个 总-
mary.
command 输入
command 输入 总线 行动 是 使用 至 给
commands 至 这 记忆. command 是 接受-
ed 当 碎片 使能 是 低, command 获得 en-
能 是 高, 地址 获得 使能 是 低 和
读 使能 是 高. 它们 是 latched 在 这 ris-
ing 边缘 的 这 写 使能 信号.
仅有的 i/o0 至 i/o7 是 使用 至 输入 commands.
看图示 23.和表格 20.为 详细信息 的 这 tim-
ings (所需的)东西.
地址 输入
地址 输入 总线 行动 是 使用 至 输入 这
记忆 地址. 三 总线 循环 是 必需的 至
输入 这 地址 为 这 128mb 和 256mb de-
vices 和 四 总线 循环 是 必需的 至 输入 这
地址 为 这 512mb 和 1gb 设备 (谈及
至 tables6和7, 地址 嵌入).
这 地址 是 accepted 当 碎片 使能 是
低, 地址 获得 使能 是 高, command
获得 使能 是 低 和 读 使能 是 高.
它们 是 latched 在 这 rising 边缘 的 这 写
使能 信号. 仅有的 i/o0 至 i/o7 是 使用 至 输入
地址.
看图示 24.和表格 20.为 详细信息 的 这 tim-
ings (所需的)东西.
数据 输入
数据 输入 总线 行动 是 使用 至 输入 这
数据 至 是 编写程序.
数据 是 accepted 仅有的 当 碎片 使能 是 低,
地址 获得 使能 是 低, command 获得
使能 是 低 和 读 使能 是 高. 这 数据
是 latched 在 这 rising 边缘 的 这 写 使能
信号. 这 数据 是 输入 sequentially 使用 这
写 使能 信号.
看图示 25.和表格 20.和表格 21.为 de-
tails 的 这 timings (所需的)东西.
数据 输出
数据 输出 总线 行动 是 使用 至 读: 这
数据 在 这 记忆 排列, 这 状态 寄存器, 这
电子的 signature和 这 串行 号码.
数据 是 输出 当 碎片 使能 是 低, 写 en-
能 是 高, 地址 获得 使能 是 低, 和
command 获得 使能 是 低.
这 数据 是 输出 sequentially 使用 这 读 en-
能 信号.
看图示 26.和表格 21.为 详细信息 的 这 tim-
ings (所需的)东西.
写 保护
写 保护 总线 行动 是 使用 至 保护
这 记忆 相反 程序 或者 擦掉 行动.
当 这 写 保护 信号 是 低 这 设备
将 不 接受 程序 或者 擦掉 行动 和 所以
这 内容 的 这 记忆 排列 不能 是 al-
tered. 这 写 保护 信号 是 不 latched 用
写 使能 至 确保 保护 甚至 在
电源-向上.
备用物品
当 碎片 使能 是 高 这 记忆 enters
备用物品 模式, 这 设备 是 deselected, 输出
是 无能 和 电源 消耗量 是 减少.
表格 5. 总线 行动
便条: 1. 仅有的 为 x16 设备.
2.
WP必须 是 v
IH
当 issuing 一个 程序 或者 擦掉 command.
总线 运作 E AL CL R W WP i/o0 - i/o7
i/o8 - i/o15
(1)
command 输入
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
Rising
X
(2)
Command X
地址 输入
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
Rising X 地址 X
数据 输入
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
Rising X 数据 输入 数据 输入
数据 输出
V
IL
V
IL
V
IL
下落
V
IH
X 数据 输出 数据 输出
写 保护 X X X X X
V
IL
XX
备用物品
V
IH
XXXXX X X
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