PS2865-1_集成电路资料查询网

ps2865-1
典型  特性 (t
一个
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
包围的 温度  t
一个
(˚c)
二极管 电源 消耗  p
D
(mw)
二极管 电源 消耗 vs.
包围的 温度
包围的 温度  t
一个
( ˚c)
晶体管 电源 消耗  p
C
(mw)
晶体管 电源 消耗
vs. 包围的 温度
向前 电压  v
F
(v)
向前 电流  i
F
(毫安)
向前 电流 vs.
向前 电压
集电级 至 发射级 电压  v
CE
(v)
集电级 电流  i
C
(毫安)
集电级 电流 vs.
集电级 至 发射级 电压
包围的 温度  t
一个
(˚c)
集电级 至 发射级 dark 电流  i
CEO
(na)
集电级 至 发射级 dark
电流 vs. 包围的 温度
集电级 饱和 电压  v
ce(sat)
(v)
集电级 电流  i
C
(毫安)
集电级 电流 vs.
集电级 饱和 电压
210
150
180
60
90
120
30
25 50
75
100
0
100
10
1
0.1
0.01
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
0 ˚c
–25 ˚c
–50 ˚c
684201
35
30
20
25
15
5
10
0
10 毫安
5 毫安
–25
0
25
50
75
100
1
10
100
1 000
10 000
V
CE
= 20 v
40 v
0.1
1
10
100
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
2 毫安
5 毫安
10 毫安
I
F
= 1ma
I
F
= 25 毫安
20 毫安
15 毫安
100
40
60
80
20
0
25
50
75
100
+60 ˚c
+25 ˚c
T
一个
= +100 ˚c
数据 薄板  pn10259ej01v0ds
5

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ps2865-1 典型特性 (t 一个 = 25 ° c, 除非否则指定) 包围的温度 t 一个 (˚c) 二极管电源消耗 p D (mw) 二极管电源消耗 vs. 包围的温度包围的温度 t 一个 ( ˚c) 晶体管电源消耗 p C (mw) 晶体管电源消耗 vs. 包围的温度向前电压 v F (v) 向前电流 i F (毫安) 向前电流 vs. 向前电压集电级至发射级电压 v CE (v) 集电级电流 i C (毫安) 集电级电流 vs. 集电级至发射级电压包围的温度 t 一个 (˚c) 集电级至发射级 dark 电流 i CEO (na) 集电级至发射级 dark 电流 vs. 包围的温度集电级饱和电压 v ce(sat) (v) 集电级电流 i C (毫安) 集电级电流 vs. 集电级饱和电压 210 150 180 60 90 120 30 25 50 75 100 0 100 10 1 0.1 0.01 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 0 ˚c –25 ˚c –50 ˚c 684201 35 30 20 25 15 5 10 0 10 毫安 5 毫安 –25 0 25 50 75 100 1 10 100 1 000 10 000 V CE = 20 v 40 v 0.1 1 10 100 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 2 毫安 5 毫安 10 毫安 I F = 1ma I F = 25 毫安 20 毫安 15 毫安 100 40 60 80 20 0 25 50 75 100 +60 ˚c +25 ˚c T 一个 = +100 ˚c 数据薄板 pn10259ej01v0ds 5

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