2
晶体管
2SB1073
0 16040 12080 14020 10060
0
1.6
1.2
0.4
1.0
1.4
0.8
0.2
0.6
打印 circut 板: 铜
foil 范围 的 1cm
2
或者 更多, 和
这 板 厚度 的 1.7mm
为 这 集电级 portion.
包围的 温度 ta
(
˚C
)
集电级 电源 消耗 p
C
(
W
)
0 –12–10–8–2 –6–4
0
1200
1000
800
600
400
200
Ta=25˚C
–120
µ
一个
–100
µ
一个
–180
µ
一个
–160
µ
一个
–140
µ
一个
–20
µ
一个
–40
µ
一个
–60
µ
一个
–80
µ
一个
I
B
=–200
µ
一个
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
0 –2.0–1.6– 0.4 –1.2– 0.8
0
–12
–10
–8
–6
–4
–2
V
CE
=–2V
Ta=75˚C
–25˚C
25˚C
根基 至 发射级 电压 v
是
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
– 0.01
– 0.1 –1 –10
– 0.03
– 0.3 –3
– 0.001
– 0.003
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
I
C
/i
B
=30
Ta=25˚C
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
– 0.01
– 0.1 –1 –10
– 0.03
– 0.3 –3
0
600
500
400
300
200
100
V
CE
=–2V
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
向前 电流 转移 比率 h
FE
–1 –3 –10 –30 –100
0
120
100
80
60
40
20
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25˚C
集电级 至 根基 电压 v
CB
(
V
)
集电级 输出 电容 c
ob
(
pF
)
P
C
— ta I
C
— v
CE
I
C
— v
是
V
ce(sat)
— i
C
h
FE
— i
C
C
ob
— v
CB
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