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接口 定时 特性
有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试. 看 图示3 为 location 的 量过的 values. 所有 输入 控制 电压是
指定 和 tr = tf = 2.5 ns (10% 至90% 的 3 v), 和 安排时间 从 一个 电压 水平的的 1.5 v. 切换 特性 是 measured
使用 两个都 v
DD
= 3 v 和 5 v.
表格 3. 接口 定时 和 eemem re责任 特性 (所有 部分).
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
接口 定时
scl 时钟 频率 f
SCL
400 khz
tbuf 总线 自由 时间 在 停止 和
开始
t
1
1.3 µs
t
hd;sta
支撑 时间 (重复的 开始) t
2
之后 这个 时期, 这 第一 时钟 脉冲波
是 发生
0.6
µs
t
低
低 时期 的 scl 时钟 t
3
1.3
µs
t
高
高 时期 的 scl 时钟 t
4
0.6
µs
t
su;sta
建制 时间 为 开始 情况 t
5
0.6
µs
t
hd;dat
数据 支撑 时间 t
6
0
0.9 µs
t
su;dat
数据 建制 时间 t
7
100
ns
t
F
下降 时间 的 两个都 sda 和 scl 信号 t
8
300 ns
t
R
上升 时间 的 两个都 sda 和 scl 信号 t
9
300 ns
t
su;sto
建制 时间 为 停止 情况 t
10
0.6
µs
eemem 数据 storing 时间 t
eemem_store
26 ms
eemem 数据 restoring 时间 在
电源-在
1
t
eemem_restore1
V
DD
上升 时间 依赖. measure
没有 解耦 电容 在 v
DD
和 v
SS
.
300 µs
eemem 数据 restoring 时间 在之上
restore command 或者 重置 运作
1
t
eemem_restore2
V
DD
= 5 v 300 µs
eemem rewritable 时间 (延迟 时间 之后
电源 在 或者 重置 在之前 eemem 能
是 写)
t
eemem_rewrite
540 µs
flash/ee 记忆 可靠性
忍耐力
2
100 kcycles
数据 保持
3
100 年
1
在 电源-向上, 所有 输出 preset 至 midscale 在之前 restoring 至 这 最终 eemem 内容. rdac0 有 这 shortest, whereasrdac3 有 这 longest eemem 数据
restoring 时间.
2
保持 存在期 相等的 在 接合面 温度 t
J
= 55°c 每 电子元件工业联合会 标准. 22, 方法 a117. 保持 lifetime 为基础 在 一个 触发活力 的 0.6 ev derates
和 接合面 温度.
3
当 这 部分 是 不 在 运作, 这 sda 和 scl 管脚 应当 是 牵引的 至 高. 当 这些 管脚 是 牵引的 至 低, 这 i
2
c 接口 在 这些 pins conducts 电流 的
关于 0.8 毫安 在 v
DD
= 5.5 v 和 0.2 毫安 在 v
DD
= 2.7 v.
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