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资料编号:802999
 
资料名称:AD8065AR
 
文件大小: 364K
   
说明
 
介绍:
High Performance, 145 MHz FastFET⑩ Op Amps
 
 


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ad8065/ad8066
rev. e | 页 21 的 28
布局, grounding, 和 用passing 仔细考虑
电源 供应 bypassing
电源 供应 管脚 是 的确 输入 和 小心 必须 是 带去 所以
那 一个 噪音-自由 稳固的 直流 电压 是 应用. 这 目的 的
绕过 电容 是 至 create 低 阻抗 从 这 供应
至 地面 在 所有 发生率, 因此 shunting 或者 过滤 大多数
的 这 噪音.
解耦 schemes 是 设计 至 降低 这 bypassing
阻抗 在 所有 发生率 和 一个 并行的 结合体 的
电容. 0.1 µf (x7r 或者 npo) 碎片 电容 是 核心的
和 应当 是 作 关闭 作 可能 至 这 放大器 包装.
这 4.7 µf tantalum 电容 是 较少 核心的 为 高 频率
bypassing, 和, 在 大多数 具体情况, 仅有的 一个 是 需要 每 板, 在
这 供应 输入.
GROUNDING
一个 地面 平面 layer 是 重要的 在 densely packed pc boards
至 展开 这 电流 降低 parasitic inductances.
不管怎样, 一个 understanding 的 在哪里 这 电流 flows 在 一个
电路 是 核心的 至 implementing 有效的 高 速 电路
设计. 这 长度 的这 电流 path 是 直接地 均衡的 至
这 巨大 的 parasitic inductances 和 因此 这 高
频率 阻抗 的 这 path. 高 速 电流 在 一个
inductive 地面 返回 将 create 一个 unwanted 电压 噪音.
V
门槛
VBIAS
S
V
P
至 rest 的 放大
V
CC
S
V
N
R1
Q2 Q5
Q3
Q1 Q6
Q7
Q4
R5
D1
R6
R3
R4
R2 R8
R7
D2
D3 D4
–V
EE
I
T1
I
T2
02916-e-056
图示 56. simplified 输入 平台
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