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这 长度 的 这 高 频率 绕过 电容 leads 是 大多数
核心的. 一个 parasitic 电感 在 这 绕过 grounding 将
工作 相反 这 低 阻抗 创建 用 这 绕过 电容.
放置 这 地面 leads 的 这 绕过 电容 在 这 一样
物理的 location. 因为 加载 电流 流动 从 这 供应
作 好, 这 地面 为 这 加载 阻抗 应当 是 在 这
一样 物理的 location 作 这 绕过 电容 grounds. 为 这
大 值 电容, 这个 是 有效的 在 更小的 发生率,
这 电流 返回 path 距离 是 较少 核心的.
泄漏 电流
poor pc 板 布局, contaminants, 和 这 板 隔热
材料 能 create 泄漏 电流 那 是 更 大 比
这 输入 偏差 电流 的 这 ad8065/ad8066. 任何 电压
差别的 在 这 输入 和 nearby runs 将 设置 向上
泄漏 电流 通过 这 pc 板 隔热, 为 例子,
1 v/100 gΩ = 10 pa. similarly, 任何 contaminants 在 这 板
能 create 重大的 泄漏 (skin oils 是 一个 一般 问题).
至 significantly 减少 泄漏, 放 一个 守卫 环绕 (shield) 周围
这 输入 和 输入 leads 那 是 驱动 至 这 一样 电压
潜在的 作 这 输入. 这个 方法 那里 是 非 电压 潜在的
在 这 输入 和 surrounding 范围 至 设置 向上 任何 泄漏
电流. 为 这 守卫 环绕 至 是 完全地 有效的, 它 必须
是 驱动 用 一个 相当地 低 阻抗 源 和 应当
完全地 surround 这 输入 leads 在 所有 sides, 在之上 和
在下, 使用 一个 multilayer 板.
另一 效应 那 能 导致 泄漏 电流 是 这 承担
absorption 的 这 隔热 材料 它自己. 降低 这
数量 的 材料 在 这 输入 leads 和 这 守卫 环绕
将 帮助 至 减少 这 absorption. 也, 低 absorption
材料, 此类 作 teflon® 或者 陶瓷的, 可以 是 需要 在
一些 instances.
输入 电容
along 和 bypassing 和 地面, 高 速 放大器 能 是
敏感的 至 parasitic 电容 在 这 输入 和
地面. 一个 few pf 的 电容 将 减少 这 输入 imped-
ance 在 高 发生率, 在 转变增加 这 放大器’s 增益,
造成 peaking 的 这 频率 回馈 或者 甚至 振动,
如果 severe 足够的. 它 是 推荐 那 这 外部 被动的
组件 连接 至 这 输入 管脚 是 放置 作 关闭 作
可能 至 这 输入 至 避免 parasitic 电容. 这 地面
和 电源 平面 必须 是 保持 在 一个 小 距离 从 这
输入 管脚 在 所有 layers 的 这 板.
输出 电容
至 一个 lesser 程度, parasitic capacitances 在 这 输出 能 导致
peaking 和 ringing 的 这 频率 回馈. 那里 是 二
方法 至 effectively 降低 它们的 效应.
•
作 显示 在 图示 57, 放 一个 小 值 电阻 (r
S
) 在
序列 和 这 输出 至 分开 这 加载 电容 从 这
放大’s 输出 平台. 一个 好的 值 至 choose 是 20 Ω (看
图示 10).
•
增加 这 阶段 余裕 和 高等级的 噪音 增益 或者 增加 一个
柱子 和 一个 并行的 电阻 和 电容 从 −in 至 这
输出.
R
S
= 20
Ω
V
I
AD8065
C
L
V
O
02916-e-057
图示 57. 输出 分开 电阻
R
SH
= 10
11
Ω
V
O
R
F
C
F
C
M
R
F
C
M
C
D
C
F
+C
S
C
S
V
B
I
PHOTO
02916-e-058
图示 58. wideband photodiode preamp
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