初步的
13
64mb sdram
ascend 半导体 公司
电流
状态
地址.
写 recovering
X
X
Action
Nop
→
enter 行 起作用的 之后tDPL
Nop
→
enter 行 起作用的 之后tDPL
注释
X
ba/ca/a10
Nop
→
enter 行 起作用的 之后tDPL
开始 读, 决定 ap
ba/ra ILLEGAL 3
ba, a10
X
ILLEGAL
ILLEGAL
3
Remark
h = 高 水平的, l = 低 水平的, x = 高 或者 低 水平的 (don't 小心), ap = 自动Precharge
/CS
H
L
/R
X
H
/C
X
H
/W
X
H
L
L
H
H
H
L
L
H
L L H H
L
L
L
L
H
L
L
H
Command
DESL
NOP
BST
读/reada
ACT
前/pall
ref/自
运算-代号 ILLEGALL L L L MRS
ba/ca/a10 新 写, 决定 ap 8L H L L writ/writa
写 recovering
和 ap
X
X
Nop
→
Enterprecharge 之后tDPL
Nop
→
Enterprecharge 之后tDPL
X
ba/ca/a10
Nop
→
Enterprecharge 之后tDPL
ILLEGAL 3,8
ba/ra ILLEGAL 3
ba, a10
X
ILLEGAL
ILLEGAL
H
L
X
H
X
H
X
H
L
L
H
H
H
L
L
H
L L H H
L
L
L
L
H
L
L
H
DESL
NOP
BST
读/reada
ACT
前/pall
ref/自
运算-代号 ILLEGALL L L L MRS
ba/ca/a10 ILLEGAL 3L H L L writ/writa
Refreshing
X
X
Nop
→
enter 空闲 之后tRC
Nop
→
enter 空闲 之后tRC
X
X
ILLEGAL
ILLEGAL
H
L
X
H
X
H
X
X
L
L
H
L
L
H
X
X
DESL
nop/ bst
读/writ
act/前/pall
X ILLEGALL L L X ref/自/mrs
模式 寄存器
Accessing
X
X
Nop
Nop
X
X
ILLEGAL
ILLEGAL
H
L
X
H
X
H
X
H
L
L
H
H
H
L
L
X
DESL
NOP
BST
读/writ
X ILLEGALL L X X
act/前/pall/
ref/自/mrs
注释 1.
所有 entries 假设 那 cke 是 起作用的 (高 水平的) 在 这 preceding 时钟 循环.
2.
如果 所有 banks 是 空闲, 和 cke 是 inactive (低 水平的), sdram will enter 电源 向下 模式.
所有 输入 缓存区 除了 cke 将 是 无能.
3.
illegal 至 bank 在 指定 states;
→
函数 将 是 legal 在 这 bank 表明 用 bank 地址 (ba), 取决于 在 这 状态 的 那 bank.
4.
如果 所有 banks 是 空闲, 和 cke 是 inactive (低 水平的), sdram will enter 自 refresh 模式.
所有 输入 缓存区 除了 cke 将 是 无能.
5.
illegal 如果tRCD 是 不 satisfied.
6.
illegal 如果tRAS 是 不 satisfied.
7.
必须 satisfy burst 中断 情况.
8.
必须 satisfy 总线 contention, 总线 转变 周围, 和/或者 写 recov ery (所需的)东西.
9.
必须 掩饰 preceding 数据 这个 don't satisfytDPL.
10.
illegal 如果tRRD 是 不 satisfied.
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