首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:80516
 
资料名称:CY7C1354B-166AC
 
文件大小: 475.69K
   
说明
 
介绍:
9-Mb (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
 
 


: 点此下载
  浏览型号CY7C1354B-166AC的Datasheet PDF文件第15页
15
浏览型号CY7C1354B-166AC的Datasheet PDF文件第16页
16
浏览型号CY7C1354B-166AC的Datasheet PDF文件第17页
17
浏览型号CY7C1354B-166AC的Datasheet PDF文件第18页
18

19
浏览型号CY7C1354B-166AC的Datasheet PDF文件第20页
20
浏览型号CY7C1354B-166AC的Datasheet PDF文件第21页
21
浏览型号CY7C1354B-166AC的Datasheet PDF文件第22页
22
浏览型号CY7C1354B-166AC的Datasheet PDF文件第23页
23
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
CY7C1354B
CY7C1356B
文档 #: 38-05114 rev. *c 页 19 的 29
最大 比率
(在之上 这个 这 有用的 生命 将 是 impaired. 为 用户 手册-
线条, 不 测试.)
存储 温度 .................................–65°c 至 +150°c
包围的 温度 和
电源 应用.............................................–55°c 至 +125°c
供应 电压 在 v
DD
相关的 至 地........ –0.5v 至 +4.6v
直流 至 输出 在 三-状态.............. –0.5v 至 v
DDQ
+ 0.5v
直流 输入 电压....................................–0.5v 至 v
DD
+ 0.5v
电流 在 输出 (低)......................................... 20 毫安
静态的 释放 电压.......................................... > 2001v
(每 mil-标准-883, 方法 3015)
获得-向上 电流.................................................... > 200 毫安
运行 范围
范围
包围的
Temper一个ture V
DD
V
DDQ
商业的 0°c 至 +70°c 3.3v
– 5%/+10% 2.5v – 5%
V
DD
工业的 –40°c 至 +85°c
电的 特性
在 这 运行 范围
[14, 15]
参数 描述 测试 情况 最小值 最大值 单位
V
DD
电源 供应 电压 3.135 3.6 V
V
DDQ
i/o 供应 电压 V
DDQ
= 3.3v 3.135 V
DD
V
V
DDQ
= 2.5v 2.375 2.625 V
V
OH
输出 高 电压 V
DD
= 最小值., i
OH
=
4.0 毫安, v
DDQ
= 3.3v 2.4 V
V
DD
= 最小值., i
OH
=
1.0 毫安, v
DDQ
= 2.5v 2.0 V
V
OL
输出 低 电压 V
DD
= 最小值., i
OL
=
8
.0 毫安, v
DDQ
= 3.3v 0.4 V
V
DD
= 最小值., i
OL
=
1.0 毫安, v
DDQ
= 2.5v 0.4 V
V
IH
输入 高 电压 V
DDQ
= 3.3v 2.0 V
DD
+ 0.3v V
V
DDQ
= 2.5v 1.7 V
DD
+ 0.3v V
V
IL
输入 低 电压
[14]
V
DDQ
= 3.3v –0.3 0.8 V
V
DDQ
= 2.5v –0.3 0.7 V
I
X
输入 加载 电流
V
I
V
DDQ
–5 5
µ
一个
输入 电流 的 模式 –30 30
µ
一个
I
OZ
输出 泄漏 电流
V
I
V
ddq,
输出 无能 –5 5
µ
一个
I
DD
V
DD
运行 供应 V
DD
= 最大值., i
输出
= 0 毫安,
f = f
最大值
= 1/t
CYC
4.4-ns 循环, 225 mhz 250 毫安
5-ns 循环, 200 mhz 220 毫安
6-ns 循环, 166 mhz 180 毫安
I
SB1
自动 ce
电源-向下
current—ttl 输入
最大值 v
DD
, 设备 deselected,
V
V
IH
或者 v
V
IL
, f = f
最大值
=
1/t
CYC
所有 速 grades 50 毫安
I
SB2
自动 ce
电源-向下
current—cmos 输入
最大值 v
DD
, 设备 deselected,
V
0.3v 或者 v
> v
DDQ
0.3v,
f = 0
所有 速 grades 35 毫安
I
SB3
自动 ce
电源-向下
current—cmos 输入
最大值 v
DD
, 设备 deselected,
V
0.3v 或者 v
> v
DDQ
0.3v,
f = f
最大值
= 1/t
CYC
所有 速 grades 50 毫安
I
SB4
自动 ce
电源-向下
current—ttl 输入
最大值 v
DD
, 设备 deselected,
V
V
IH
或者 v
V
IL
, f = 0
所有 速 grades 40 毫安
shaded areas 包含 进步 信息.
注释:
14. 越过: v
IH
(交流) < v
DD
+1.5v (脉冲波 宽度 较少 比 t
CYC
/2), undershoot: v
IL
(交流)> –2v (脉冲波 宽度 较少 比 t
CYC
/2).
15. T
电源-向上
: 假设 一个 直线的 ramp 从 0v 至 v
DD
(最小值.) 在里面 200 ms. 在 这个 时间 v
IH
< v
DD
和 v
DDQ
< v
DD
.
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com