38 Am29F800B
初步的
修订 summary 为 am29f800b
修订 b
Global
增加 -55 速 选项. changed 数据 薄板 designa-
tion 从 进步 信息 至 初步的.
sector 保护/unprotection
corrected text 至 表明 那 这些 功能 能 仅有的
是 执行 使用 程序编制 设备.
表格 1, 设备 总线 行动
修订 至 表明 输入 为 两个都 ce# 和 reset#
是 必需的 为 备用物品 模式.
程序 command sequence
changed 至 表明 data# polling 是 起作用的 为 2 µs
之后 一个 程序 command sequence 如果 这 sector 规格-
ified 是 保护.
sector 擦掉 command sequence 和 dq3: sector
擦掉 计时器
corrected sector 擦掉 timeout 至 50 µs.
擦掉 suspend command
changed 至 表明 那 这 设备 suspends 这
擦掉 运作 一个 最大 的 20 µs 之后 这 rising
边缘 的 we#.
直流 特性
changed 至 表明 v
ID
最小值 和 最大值 值 是 11.5
至 12.5 v, 和 一个 v
CC
测试 情况 的 5.0 v. 增加
典型 值 至 ttl 表格. 修订 cmos 典型
备用物品 电流 (i
CC3
).
图示 14: 碎片/sector 擦掉 运作 timings;
图示 19: alternate ce# 控制 写
运作 timings
corrected hexadecimal 值 在 地址 和 数据
波形. 在 图示 19, corrected 数据 值 为 碎片
和 sector 擦掉.
擦掉 和 程序编制 效能
corrected 文字 和 碎片 程序编制 时间.
修订 c
Global
formatted 为 consistency 和 其它 5.0 volt-仅有的 数据
薄板.
修订 c+1
distinctive 特性
changed 典型 程序/擦掉 电流 至 30 毫安 至
相一致 这 cmos 直流 特性 表格.
changed 最小 忍耐力 至 1 million 写 循环
每 sector 有保证的.
交流 特性
擦掉/程序 行动:
corrected 这 注释 谈及-
ence 为 t
WHWH1
和 t
WHWH2
. 这些 参数 是
100% 测试. changed t
DS
和 t
CP
规格 为 55
ns 设备. changed t
WHWH1
文字 模式 规格
至 12 µs.
alternate ce# 控制 擦掉/程序 行动:
corrected 这 注释 涉及 为 t
WHWH1
和 t
WHWH2
.
这些 参数 是 100% 测试. changed t
DS
和
t
CP
规格 为 55 ns 设备. changed t
WHWH1
文字 模式 规格 至 12 µs.
temporary sector unprotect 表格
增加 便条 涉及 为 t
VIDR
. 这个 参数 是 不
100% 测试.
擦掉 和 程序编制 效能
在 注释 1 和 6, changed 这 忍耐力 规格
至 1 million 循环.
: 点此下载
