2003 将 20 2
飞利浦 半导体 产品 规格
肖特基 屏障 二极管 BAS40L
特性
•
低 二极管 电容
•
低 向前 电压
•
守卫 环绕 保护
•
高 损坏 电压
•
无铅 过激 小 塑料 包装
(1 mm
×
0.6 mm
×
0.5 mm)
•
boardspace 1.17 mm
2
(approx. 10% 的 sot23)
•
电源 消耗 comparable 至 sot23.
产品
•
过激 高-速 切换
•
电压 夹紧
•
保护 电路
•
Mobile 交流, 数字的 (安静的) cameras, PDAs 和
pcmcia cards.
描述
Planar 肖特基 屏障 二极管 和 一个 整体的 守卫 环绕
为 压力 保护. Encapsulated 在 一个 SOD882 无铅
过激 小 塑料 包装.
handbook, halfpage
MDB391
bottom 视图
图.1 simplified 外形 (sod882) 和 标识.
标记 代号:
s6.
这 标记 柱状 indicates 这 cathode.
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 60134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
每 二极管
V
R
持续的 反转 电压
−
40 V
I
F
持续的 向前 电流
−
120 毫安
I
FRM
repetitive 顶峰 向前 电流 t
p
≤
1s;
δ≤
0.5
−
120 毫安
I
FSM
非-repetitive 顶峰 向前 电流 t
p
<10ms
−
200 毫安
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
−
150
°
C