BTS 7710 GP
数据 薄板 5 2001-02-01
1.6 电路 描述
输入 电路
这 控制 输入 ih1,2 组成 的 ttl/cmos 兼容 施密特-triggers 和
hysteresis. 缓存区 放大器 是 驱动 用 这些 stages 和 转变 这 逻辑 信号 在
这 需要 表格 为 驱动 这 电源 输出 stages. 这 输入 是 保护 用 静电释放
clamp-二极管.
这 输入 il1 和 il2 是 连接 至 这 门 的 这 标准 n-频道 vertical
电源-mos-fets.
输出 stages
这 输出 stages 组成 的 一个 低
R
DS 在
电源-mos h-桥. 在 h-桥
配置, 这 d-mos 身体 二极管 能 是 使用 为 freewheeling 当 commutating
inductive 负载. 如果 这 高-一侧 switches 是 使用 作 单独的 switches, 积极的 和
负的 电压 尖刺 这个 出现 当 驱动 inductive 负载 是 限制 用
整体的 电源 clamp 二极管.
短的 电路 保护
这 输出 是 保护 相反
– 输出 短的 电路 至 地面
– 超载 (加载 短的 电路).
一个 内部的 运算-放大 控制 这 流-源-电压 用 comparing 这 ds-电压-
漏出 和 一个 内部的 涉及 电压. 在之上 这个 trippoint 这 运算-放大 减少 这
输出 电流 取决于 在 这 接合面 温度 和 这 漏出 电压.
在 这 情况 的 使负荷过重 高-一侧 switches 这 状态 输出 是 设置 至 低.
overtemperature 保护
这 高-一侧 switches 包含 一个 overtemperature 保护 电路 和 hysteresis
这个 switches 止 这 输出 晶体管 和 sets 这 状态 输出 至 低.
欠压-lockout (uvlo)
当
V
S
reaches 这 转变-在 电压
V
UVON
这 ic 变为 起作用的 和 一个 hysteresis.
这 高-一侧 输出 晶体管 是 切换 止 如果 这 供应 电压
V
S
drops 在下
这 转变 止 值
V
uvoff.
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