7
ucc3957 -1/-2/-3/-4
1
2
3
4
5
6
7 10
98
16
15
14
13
12
11
DVDD
VDD
CLCNT
WU
AN1
AN2
AN3
AN4
BATLO
CHGEN
AN4
CHG
DCHG
CDLY2
AVDD
CDLY1
R1 1MEG
R2
10K
Q2
IRF7416
Q1
IFR7416
Q3
227002
VR1 18V
C4
0.022
µ
F
C1
0.1
µ
F
C2
0.1
µ
F
R
SENSE
.025
Ω
li-ion 电池 堆栈
包装 (–)
包装 (+)
"承担"
"释放"
D1
1a, 50V
R3
1K
C5
0.22
µ
F
R4
100
C6
.22
µ
F
图示 5. 四 cell protector 和 回转 比率 限制的 这 释放 场效应晶体管.
便条 1: vr1 和 r2 是 optional. 它们 保护 q1 从 过度的 打开-电路 charger 电压.
便条 2. r3 和 c5 是 选择 为基础 在 电容的 加载 那 必须 是 驱动.
便条 3. r4 降低 inductive kick 在 转变-止.
应用 信息 (持续)
udg-98018
IC 或者 这 释放 场效应晶体管 (q2). 为 这个 reason, 它 是
strongly 推荐 那 一个 电容 (c5 在 Fig’s 1 &放大;
2) 是 放置 横过 这 cell 堆栈, 从 VDD 至 an4, 和
那 偏离 电感 是 使减少到最低限度 在 这 电池 电流
path. 一个 alternative 至 adding 一个 电容 横过 这 cell
堆栈 是 至 减少 这 di/dt. 这个 是 discussed 在 这 next
部分.
controlling 释放 场效应晶体管 转变-在 / 转变-止 时间
用 回转 比率 限制的 这 包装 输出 电压 在 转变-在,
这 surge 电流 在 大 电容的 负载 能 是
非常 减少.
这个 准许 这 设计者 至 选择 shorter overcurrent de-
lay 时间, 降低 这 压力 在 Q1 和 Q2 在 这
事件 的 一个 短接 包装 输出. 一个 简单的 方法 的 im-
plementing 回转 比率 限制的 是 显示 在 图示 5. 它 con-
sists 的 一个 RC 网络 (r3 和 c5) 在 门 和
流 的 这 释放 场效应晶体管 (q2) 至 控制 它的 转变-在
时间. 这个 电路 relies 在 这 相当地 高 下沉 imped-
ance (关于 20k) 的 这 UCC3957’s DCHG 输出. 这
值 显示 为 R3 和 C5 将 提供 一个 包装 输出
电压 上升 时间 的 关于 4.5msec 当 这 释放
场效应晶体管 (q2) 是 转变 在. 便条 那 这 增加 的 R3 和
C5 有 制造 它 可能 至 eliminate 这 CDLY2 capaci-
tor, 为 这 quickest 回馈 至 一个 真实 短的 电路. 当
这个 电路 将 不 阻止 一个 大 surge 电流 当 在-
serting 一个 “live” 电池 包装 在 一个 高级地 电容的 加载,
它 将 准许 它 至 重新开始 (之后 一个 hiccup 循环) 如果 这个 ini-
tial surge 电流 trips 这 overcurrent 保护.
增加 这 转变-止 时间 的 这 释放 场效应晶体管 (q2)
减少 这 inductive kick 那 结果 在 转变-止 af-
ter 一个 overcurrent 情况. 这个 是 accomplished 用
adding 一个 电阻 (r4) 在 序列 和 这 DCHG 输出.
这个 减少 的 di/dt 在 转变-止 将 降低 (或者 elimi-
nate) 这 需要 为 一个 电容 横过 这 电池 堆栈. 它
是 推荐 那 这个 电阻 值 不 超过 一个 few
hundred ohms, 或者 这 能力 至 转变 止 quickly 足够的
在 一个 短的 将 是 compromised.
预定的 至 这 相当地 低 承担 电流 (典型地 一个 few
放大器 最大值), controlling 这 转变-在 和 转变-止 时间 的
这 承担 场效应晶体管 是 不 beneficial. 在 事实, 这 转变-止 时间
的 这 承担 场效应晶体管 将 是 慢 预定的 至 这 大 值 的
r1, 这 门-源 电阻.
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