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产品 数据 薄板 rev. 04 — 12 十一月 2004 2 的 11
飞利浦 半导体
BT168GW
thyristors; 逻辑 水平的 为 rcd/gfi/lccb 产品
4. 限制的 值
[1] 虽然 不 推荐, 止-状态 电压 向上 至 800 V 将 是 应用 没有 损坏, 但是 这 thyristor 将 转变 至 这 在-状态.
这 比率 的 上升 的 电流 应当 不 超过 15 一个/
µ
s.
表格 3: 限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 60134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DRM
, v
RRM
repetitive 顶峰 止-状态 电压
[1]
- 600 V
I
t(av)
平均 在-状态 电流 half sine 波; t
sp
≤
112
°
c;
看
图示 1
- 0.63 一个
I
t(rms)
rms 在-状态 电流 所有 传导 angles;
看
图示 4 和 5
-1a
I
TSM
非-repetitive 顶峰 在-状态 电流 half sine 波; T
j
=25
°
C 较早的 至
surge; 看
图示 2 和 3
t = 10 ms - 8 一个
t = 8.3 ms - 9 一个
I
2
德州仪器
2
t 为 fusing t = 10 ms - 0.32 一个
2
s
dI
T
/dt repetitive 比率 的 上升 的 在-状态
电流 之后 triggering
I
TM
= 2 一个; i
G
= 10 毫安;
dI
G
/dt = 100 毫安/
µ
s
-50a/
µ
s
I
GM
顶峰 门 电流 - 1 一个
V
GM
顶峰 门 电压 - 5 V
V
RGM
顶峰 反转 门 电压 - 5 V
P
GM
顶峰 门 电源 - 2 W
P
g(av)
平均 门 电源 在 任何 20 ms 时期 - 0.1 W
T
stg
存储 温度
−
40 +150
°
C
T
j
接合面 温度 - 125
°
C
一个 = 表格 因素 = I
t(rms)
/i
t(av)
.
图 1. 总的 电源 消耗 作 一个 函数 的 平均 在-状态 电流; 最大 值
I
t(av)
(一个)
0 0.80.60.40.2
001aab496
0.2
0.6
1
P
tot
(w)
0
119
113
110
T
sp(最大值)
(
°
c)
125
4
0.4
0.8
116
122
一个 =
1.57
1.9
2.8
2.2
传导
角度
(degrees)
表格
因素
一个
30
60
90
120
180
4
2.8
2.2
1.9
1.57
α
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