CY62157DV30
MoBL
®
文档 #: 38-05392 rev. *e 页 3 的 12
最大 比率
(在之上 这个 这 有用的 生命 将 是 impaired. 为 用户 手册-
线条, 不 测试.)
存储 温度 ................................–65°c 至 + 150°c
包围的 温度 和
电源 应用............................................–55°c 至 + 125°c
供应 电压 至 地面
潜在的 .........................................–0.3v 至 + v
cc(最大值)
+ 0.3v
直流 电压 应用 至 输出
在 高-z 状态
[8, 9]
............................ –0.3v 至 v
cc(最大值)
+ 0.3v
直流 输入 电压
[8, 9]
........................–0.3v 至 v
cc(最大值)
+ 0.3v
输出 电流 在输出 (低)............................. 20 毫安
静态的 释放 电压........................................... >2001v
(每 mil-标准-883, 方法 3015)
获得-向上 电流...................................................... >200 毫安
运行 范围
设备 范围
包围的
温度 (t
一个
)v
CC
[10]
CY62157DV30L 工业的 –40°c 至 +85°c 2.20v
至
3.60v
CY62157DV30LL
CY62157DV30L Automotive
(初步的)
–40°c 至 +125°c
电的 特性
在 这 运行 范围
参数 描述 测试 情况
CY62157DV30
单位最小值 典型值
[2]
最大值
V
OH
输出 高 电压 I
OH
= –0.1 毫安 V
CC
= 2.20v 2.0 V
I
OH
= –1.0 毫安 V
CC
= 2.70v 2.4 V
V
OL
输出 低 电压 I
OL
= 0.1 毫安 V
CC
= 2.20v 0.4 V
I
OL
= 2.1ma V
CC
= 2.70v 0.4 V
V
IH
输入 高 电压 V
CC
= 2.2v 至 2.7v 1.8 V
CC
+ 0.3v V
V
CC
= 2.7v 至 3.6v 2.2 V
CC
+ 0.3v V
V
IL
输入 低 电压 V
CC
= 2.2v 至 2.7v –0.3 0.6 V
V
CC
= 2.7v 至 3.6v –0.3 0.8 V
I
IX
输入 泄漏 电流 地 <V
I
< v
CC
工业的
–1 +1
µ
一个
Automotive
-4 +4
µ
一个
I
OZ
输出 泄漏 电流 地 <V
O
<V
CC
, output
无能
工业的
–1 +1
µ
一个
Automotive
-4 +4
µ
一个
I
CC
V
CC
运行 供应
电流
f = f
最大值
= 1/t
RC
V
CC
= v
CCmax
I
输出
= 0 毫安
cmos 水平
L1220mA
LL 15 毫安
f = 1 mhz L 1.5 3 毫安
LL 3 毫安
I
SB1
自动 ce
电源-向下
电流 — cmos
输入
CE
1
> v
CC
−
0.2v, ce
2
<0.2v
V
在
>v
CC
–0.2v, v
在
<0.2v)
f = f
最大值
(地址 和 数据
仅有的),
f = 0 (oe
, 我们, bhe和
BLE
), v
CC
=3.60v
工业的 L 2 20
µ
一个
LL 2 8
Automotive L 50
I
SB2
自动 ce
电源-向下
电流 — cmos
输入
CE
1
> v
CC
– 0.2v 或者 ce
2
<
0.2v,
V
在
> v
CC
– 0.2v 或者 v
在
<
0.2v,
f = 0, v
CC
= 3.60v
工业的 L 2 20
µ
一个
LL 2 8
Automotive L 50
注释:
8. V
il(最小值.)
= –2.0v 为 脉冲波 durations 较少 比 20 ns.
9. V
ih(最大值)
= v
CC
+0.75v 为 脉冲波 持续时间 较少 比 20 ns.
10. 全部 设备 交流 运作 假设 一个 100
µ
s ramp 时间 从 0 至 v
cc
(最小值) 和 200
µ
s wait 时间 之后 v
cc
stabilization.
: 点此下载
