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资料编号:817757
 
资料名称:CY7C025V
 
文件大小: 248K
   
说明
 
介绍:
3.3V 4K/8K/16K x 16/18 Dual-Port Static RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
cy7c024v/025v/026v
cy7c0241v/0251v/036v
6
初步的
注释:
11. f
最大值
= 1/t
RC
= 所有 输入 cycling 在 f = 1/t
RC
(除了 输出 使能). f = 0 意思 非 地址 或者 控制 线条 改变. 这个 应用 仅有的 至 输入 在 cmos 水平的 备用物品 i
SB3
.
12. 测试 initially 和 之后 任何 设计 或者 处理 改变 那 将 影响 这些 参数.
电的 特性
在 这 运行 范围
参数 描述
cy7c024v/025v/026v
cy7c0241v/0251v/036v
单位
-15
[1]
-20 -25
最小值 典型值. 最大值 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值
V
OH
输出 高 电压 (v
CC
=3.3v) 2.4 2.4 2.4 V
V
OL
输出 低 电压 0.4 0.4 0.4 V
V
IH
输入 高 电压 2.0 2.0 2.0 V
V
IL
输入 低 电压 0.8 0.8 0.8 V
I
OZ
输出 泄漏 电流
10 10
10 10
10 10
µ
一个
I
IX
10 10
10 10
10 10
µ
一个
I
CC
运行 电流 (v
CC
= 最大值.,
I
输出
= 0 毫安) 输出 无能
Com
l.
125 185 120 175 115 165 毫安
indust. 140 195 135 185 毫安
I
SB1
备用物品 电流 (两个都 端口 ttl
水平的) ce
L
&放大; ce
R
V
IH
, f = f
最大值
Com
l. 35 50 35 45 30 40 毫安
indust. 45 55 40 50 毫安
I
SB2
备用物品 电流 (一个 端口 ttl
水平的) ce
L
| ce
R
V
IH
, f = f
最大值
Com
l. 80 120 75 110 65 95 毫安
indust. 85 120 75 105 毫安
I
SB3
备用物品 电流 (两个都 端口 cmos
水平的) ce
L
&放大; ce
R
V
CC
0.2v, f = 0
Com
l.
10 250 10 250 10 250
µ
一个
indust. 10 250 10 250
µ
一个
I
SB4
备用物品 电流 (一个 端口 cmos
水平的) ce
L
| ce
R
V
IH
, f = f
最大值
[11]
Com
l. 75 105 70 95 60 80 毫安
indust. 80 105 70 90 毫安
shaded areas 包含 进步 信息.
电容
[12]
参数 描述 测试 情况 最大值 单位
C
输入 电容 T
一个
= 25
°
c, f = 1 mhz,
V
CC
= 3.3v
10 pF
C
输出
输出 电容 10 pF
交流 测试 负载 和 波形
3.0v
90%
90%
10%
3ns
3
ns
10%
所有 输入 脉冲
(一个) 正常的 加载 (加载
1)
R1 = 590
3.3v
输出
R2 = 435
C= 30
pF
V
TH
=1.4v
输出
C=
30pF
(b) Th
é
venin 相等的 (加载 1)
(c) 三-状态 延迟 (加载 2)
R1 = 590
R2 = 435
3.3v
输出
C= 5pF
R
TH
=250
包含 scope 和 jig)
(使用 为 t
LZ
, t
HZ
, t
HZWE
, &放大; t
LZWE
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