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资料编号:81874
 
资料名称:LTC1693-5CMS8
 
文件大小: 150.3K
   
说明
 
介绍:
High Speed Single P-Channel MOSFET Driver
 
 


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3
ltc1693-5
典型 perfor 一个 ce characTERISTICS
UW
在 门槛 电压 vs v
CC
包围的 温度 (
°
c)
–50
输入 门槛 hysteresis (v)
1.2
1.3
1.4
25 75
1693-5 g03
1.1
1.0
25 0 50 100 125
0.9
0.8
V
CC
= 12v
V
IH
-v
IL
在 门槛 hysteresis
vs 包围的 温度
在 门槛 电压
vs 包围的 温度
V
CC
(v)
5
2.00
2.25
2.75
810
1693-5 g01
1.75
1.50
67
91112
1.25
1.00
2.50
输入 门槛 电压 (v)
V
IH
V
IL
T
一个
= 25
°
C
包围的 温度 (
°
c)
–50
输入 门槛 电压 (v)
2.75
25
1693-5 g02
2.00
1.50
–25 0 50
1.25
1.00
3.00
2.50
V
IH
V
IL
2.25
1.75
75 100 125
V
CC
= 12v
阶段 门槛 电压 vs v
CC
上升/下降 时间 vs v
CC
V
CC
(v)
5
18
20
24
810
t
上升
t
下降
1693-5 g05
16
14
67
91112
12
10
22
时间 (ns)
T
一个
= 25
°
C
C
输出
= 1nf
f
= 100khz
上升/下降 时间 vs c
输出
传播 延迟 vs 包围的
温度传播 延迟 vs v
CC
V
CC
(v)
5
阶段 门槛 电压 (v)
4
5
6
810
1693-5 g04
3
2
67
91112
1
0
T
一个
= 25
°
C
V
ph(h)
V
ph(l)
包围的 温度 (
°
c)
–50
10
时间 (ns)
11
13
14
15
20
17
0
50
75
1693-5 g06
12
18
19
16
–25
25
100
125
V
CC
= 12v
C
输出
= 1nf
f
= 100khz
t
上升
t
下降
上升/下降 时间 vs 包围的
温度
V
CC
(v)
5
10
时间 (ns)
15
25
30
35
7
55
1693-5 g08
20
6891110 12
t
PLH
t
PHL
40
45
50
T
一个
= 25
°
C
C
输出
= 1nf
f
= 100khz
包围的 温度 (
°
c)
–50
时间 (ns)
40
45
50
25 75
1693-5 g09
35
30
–25 0
50
t
PLH
t
PHL
100 125
25
20
V
CC
= 12v
C
输出
= 1nf
f
= 100khz
C
输出
(pf)
20
时间 (ns)
40
60
80
100
1 100 1000 10000
1693-5 g07
0
10
120
T
一个
= 25
°
C
V
CC
= 12v
f
= 100khz
t
上升
t
下降
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