EM6325
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3
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绝对 最大 比率
参数 标识 情况
电压 在 v
DD
至 地 V
DD
-0.3v 至 +6v
最小 电压 在 任何 信号 管脚 V
最小值
地 - 0.3v
最大 电压 在 任何 信号 pin V
最大值
V
DD
+ 0.3v
静电的 释放 最大值 至
mil-标准-883c 方法 3015.7
和 ref. 至 v
SS
V
静电释放
2000V
最大值 焊接 情况 T
最大值
250°c x 10s
存储 温度 范围 T
STG
-65°c 至 +150°c
压力 在之上 这些 列表 最大 比率 将
导致 永久的 损坏 至 这 设备. 暴露
在之外 指定 运行 conditions 将 影响 设备
可靠性 或者 导致 运转.
处理 程序
这个 设备 有 建造-在 保护 相反 高 静态的
电压 或者 electric 地方; 不管怎样, 反对-静态的
预防措施 必须 是 带去 作 为 任何 其它 cmos
组件. 除非 否则 指定, 恰当的
运作 能 仅有的 出现 当 所有 终端 电压 是
保持 在里面 这 电压 范围. unused 输入 必须
总是 是 系 至 一个 定义 逻辑 电压 水平的.
运行 情况
参数 标识 最小值 最大值 单位
供应 电压 V
DD
0.9 5.5 v
运行 温度 T
一个
-40 +125 °c
电的 特性
除非 否则 指定: v
DD
= 0.9v 至 5.5v, t
一个
=-40°c 至 +125°c (便条 1).
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
+25°c - 4.6
V
DD
=1.5v
-40°c 至 +125°c -
2.3
7
+25°c - 5.5
V
DD
=3.3v
-40°c 至 +125°c -
2.9
8.3
+25°c - 6.3
供应 电流 (便条 2) I
DD
V
DD
=5.0v
-40°c 至 +125°c -
3.4
9.6
μ
一个
+25°c 1.290 1.330
-40°c 至 +85°c 1.245 1.382
em6325 – 1.3
-40°c 至 +125°c 1.221
1.31
1.387
+25°c 1.359 1.401
-40°c 至 +85°c 1.311 1.456
em6325 – 1.4
-40°c 至 +125°c 1.286
1.38
1.461
+25°c 1.546 1.594
-40°c 至 +85°c 1.492 1.656
em6325 – 1.6
-40°c 至 +125°c 1.463
1.57
1.663
+25°c 1.635 1.685
-40°c 至 +85°c 1.577 1.751
em6325 – 1.7
-40°c 至 +125°c 1.547
1.66
1.758
+25°c 1.773 1.827
-40°c 至 +85°c 1.710 1.899
em6325 – 1.8
-40°c 至 +125°c 1.678
1.80
1.906
+25°c 2.167 2.233
-40°c 至 +85°c 2.090 2.321
em6325 – 2.2
-40°c 至 +125°c 2.050
2.20
2.330
+25°c 2.591 2.669
-40°c 至 +85°c 2.499 2.775
em6325 – 2.6
-40°c 至 +125°c 2.451
2.63
2.785
+25°c 2.886 2.974
-40°c 至 +85°c 2.784 3.091
em6325 – 2.9
-40°c 至 +125°c 2.731
2.93
3.103
+25°c 3.034 3.126
-40°c 至 +85°c 2.926 3.249
em6325 – 3.1
-40°c 至 +125°c 2.871
3.08
3.262
+25°c 4.334 4.466
-40°c 至 +85°c 4.180 4.642
em6325 – 4.4
-40°c 至 +125°c 4.101
4.40
4.660
+25°c 4.561 4.699
-40°c 至 +85°c 4.399 4.885
门槛 电压
(便条 3)
V
TH
em6325 – 4.6
-40°c 至 +125°c 4.315
4.63
4.903
V
门槛 hysteresis V
HYS
T
一个
=+25°c -
2.1%
•
V
TH
- v
便条 1:
生产 测试 在 +25°c 仅有的. 在 温度 lim它的 是 有保证的 用 设计, 不 生产 测试.
便条 3:
门槛 电压 是 指定 为 v
DD
下落.
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