13
这 最小 自举 电容 能 是 计算 用
rearranging 这 previous 等式 和 solving 为 c
激励
.
典型 门 承担 值 为 mosfets 考虑 在
这些 类型 的 产品 范围 从 20 至 100nc. 自从
这 电压 漏出 横过 q
更小的
是 negligible, v
BOOT1
是
simply v
CPVOUT
- v
D
. 一个 肖特基 二极管 是 推荐 至
降低 这 电压 漏出 横过 这 自举 电容
在 这 在-时间 的 这 upper场效应晶体管. 最初的 calculations
和 v
BOOT2
非 较少 比 4v 将 quickly 帮助 narrow 这
自举 电容 范围.
为 例子, 考虑 一个 upper 场效应晶体管 是 选择 和 一个
最大 门 承担, q
g
, 的 100nc. 限制的 这 电压
漏出 横过 这 自举 电容 至 1v 结果 在 一个 值
的 非 较少 比 0.1
µ
f. 这 容忍 的 这 陶瓷的 电容
应当 也 是 考虑 当selecting 这 最终 自举
电容 值.
一个 快 恢复 二极管 是 推荐 当 selecting 一个
自举 二极管 至 减少 这 impact 的 反转 恢复
承担 丧失. 否则,这 恢复 承担, q
RR
, 将
有 至 是 增加 至 这 门 承担 的 这 场效应晶体管 和
带去 在 仔细考虑 当 calculating 这 最小
自举 电容.
isl6526 直流-直流 converter 应用
电路
图示 8 显示 一个 应用 电路 的 一个 直流-直流 转换器.
详细地 信息 在 这 电路, 包含 一个 完全 bill-
的-材料 和 电路 板 描述, 能 是 建立 在
应用 便条 an9994.
C
激励
Q
门
V
BOOT1
V
–
BOOT2
-----------------------------------------------------
=
组件 选择 注释:
C
3,8,9
- 各自 150
µ
f, panasonic eef-ue0j151r 或者 相等的.
d1 - 30ma 肖特基 二极管, ma732 或者 相等的
L
1
- 1
µ
h inductor, panasonic p/n etq-p6f1rosfa 或者 相等的.
Q
1
- 仙童 场效应晶体管; itf86110dk8.
2.5v @ 5a
FB竞赛
UGATE
阶段
激励
地
LGATE
ISL6526
R
3
R
5
C
10
C
11
R
2
L
1
D
1
C
7
C
1
C
4
C
6
C
8,9
OCSET
CPVOUT
C
3
R
1
Q
1
CT1
CT2
CPGND
VCC
3.3v
C
5
C
2
C
12
R
4
地
U
1
地
14
1
2
3
4
5
8
6
7
9
10
11
12
13
TP
1
TP
3
使能
9.76k
Ω
6.49k
Ω
2.26k
Ω
124
Ω
0.1
µ
F
1000pF
10
µ
F
0.22
µ
F
1
µ
F
0.1
µ
F
33pF
5600pF
8200pF
1.07k
Ω
陶瓷的
使能
图示 8. 3.3v 至 2.5v 5a 直流-直流 转换器
C
1
ISL6526
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