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资料编号:835273
 
资料名称:IDT72V295L15PF
 
文件大小: 237K
   
说明
 
介绍:
3.3 VOLT HIGH DENSITY CMOS SUPERSYNC FIFO 131,072 x 18 262,144 x 18
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
10
商业的 和 工业的 温度 范围
idt72v295/72v2105 3.3v 高 密度 cmos
supersync 先进先出
TM
131,072 x 18, 262,144 x 18
串行 程序编制 模式
如果 串行 程序编制 模式 有 被 选择, 作 des
cribed 在之上, 然后
程序编制 的
PAE
PAF
值 能 是 达到 用 使用 一个 combina-
tion 的 这
LD
,
SEN
, wclk 和 si 输入 管脚. 程序编制
PAE
PAF
proceeds 作 跟随: 当
LD
SEN
是 设置 低, 数据 在 这 si 输入
是 写, 一个 位 为 各自 wclk rising 边缘, 开始 和 这 empty
补偿 lsb 和 ending 和 这 全部 补偿 msb. 一个 总的 的 34 位 为 这
idt72v295 和 36 位 为 这 idt72v2105. 看 图示 13,
串行 加载
的 可编程序的 标记 寄存器
, 为 这 定时 图解 为 这个 模式.
使用 这 串行 方法, 单独的 寄存器 不能 是 编写程序
selectively.
PAE
PAF
能 显示 一个 有效的 状态 仅有的 之后 这 完全
设置 的 位 (为 所有 补偿 寄存器) 有 被 entered. 这 寄存器 能 是
reprogrammed 作 长 作 这 完全 设置 的 新 补偿 位 是 entered.
LD
是 低 和
SEN
是 高, 非 串行 写 至 这 寄存器 能 出现.
写 行动 至 这 先进先出 是 允许 在之前 和 在 这 串行
程序编制 sequence. 在 这个 情况, 这 程序编制 的 所有 补偿 位
做 不 有 至 出现 在 once. 一个 选择 号码 的 位 能 是 写 至
这 si 输入 和 然后, 用 bringing
LD
SEN
高, 数据 能 是 写 至
先进先出 记忆 通过 d
n
用 toggling
WEN
. 当
WEN
是 brought 高 和
LD
SEN
restored 至 一个 低, 这 next 补偿 位 在 sequence 是 写 至 这
寄存器 通过 si. 如果 一个 中断 的 串行 程序编制 是 desired, 它 是
sufficient 也 至 设置
LD
低 和 deactivate
SEN
或者 至 设置
SEN
低 和
deactivate
LD
. once
LD
SEN
是 两个都 restored 至 一个 低 水平的, 串行
补偿 程序编制 持续.
从 这 时间 串行 程序编制 有 begun, neither partial 标记 将 是
有效的 直到 这 全部 设置 的 位 必需的 至 fill 所有 这 补偿 寄存器 有 被
写. 测量 从 这 rising wclk 边缘 那 achieves 这 在之上
criteria;
PAF
将 是 有效的 之后 二 更多 rising wclk edges 加 t
PAF
,
PAE
将 是 有效的 之后 这 next 二 rising rclk edges 加 t
PAE
加 t
SKEW2
.
它 是 不 可能 至 读 这 标记 补偿 值 在 一个 串行 模式.
并行的 模式
如果 并行的 程序编制 模式 有 被 选择, 作 de
scribed 在之上,
然后 程序编制 的
PAE
PAF
值 能 是 达到 用 使用 一个
结合体 的 这
LD
, wclk ,
WEN
和 d
n
输入 管脚.
为 这 id72v295/
72v2105, 程序编制
PAE
PAF
proceeds 作 跟随: 当
LD
WEN
是 设置 低, 数据 在 这 输入 dn 是 写 在 这 empty 补偿
lsb 寄存器 在 这 第一 低-至-高 转变 的 wclk. 在之上 这
第二 低-至-高 转变 的 wclk, 数据 是 写 在 这 empty
补偿 msb 寄存器. 在之上 这 第三 低-至-高 转变 的 wclk,
数据 是 写 在 这 全部 补偿 lsb 寄存器. 在之上 这 fourth 低-至-
高 转变 的 wclk, 数据 是 写 在 这 全部 补偿 msb 寄存器.
这 fifth 转变 的 wclk 写, once 又一次, 至 这 empty 补偿 lsb
寄存器.
看 图示 14,
并行的 加载 的 可编程序的 标记 寄存器
, 为
这 定时 图解 为 这个 模式.
这 act 的 writing 补偿 在 并行的 雇用 一个 专心致志的 写 补偿
寄存器 pointer. 这 act 的 读 补偿 雇用 一个 专心致志的 读 补偿
寄存器 pointer. 这 二 pointers 运作 independently; 不管怎样, 一个 读
和 一个 写 应当 不 是 执行 同时发生地 至 这 补偿 寄存器.
一个 主控 重置 initializes 两个都 pointers 至 这 empty 补偿 (lsb) 寄存器.
一个 partial 重置 有 非 效应 在 这 位置 的 这些 pointers.
写 行动 至 这 先进先出 是 允许 在之前 和 在 这 并行的
程序编制 sequence. 在 这个 情况, 这 程序编制 的 所有 补偿 寄存器
做 不 有 至 出现 在 一个 时间. 一个, 二 或者 更多 补偿 寄存器 能
是 写 和 然后 用 bringing
LD
高, 写 行动 能 是 redirected
至 这 先进先出 记忆. 当
LD
是 设置 低 又一次, 和
WEN
是 低, 这 next
补偿 寄存器 在 sequence 是 写 至. 作 一个 alternative 至 支持
WEN
低 和 toggling
LD
, 并行的 程序编制 能 也 是 interrupted 用
设置
LD
低 和 toggling
WEN
.
便条 那 这 状态 的 一个 partial 标记 (
PAE
或者
PAF
) 输出 是 invalid 在
这 程序编制 处理. 从 这 时间 并行的 程序编制 有 begun,
一个 partial 标记 输出 将 不 是 有效的 直到 这 适合的 补偿 文字 有
被 写 至 这 寄存器(s) pertaining 至 那 标记. 测量 从 这
rising wclk 边缘 那 achieves 这 在之上 criteria;
PAF
将 是 有效的 之后 二
更多 rising wclk edges 加 t
PAF
,
PAE
将 是 有效的 之后 这 next 二 rising
rclk edges 加 t
PAE
加 t
SKEW2
.
这 act 的 读 这 补偿 寄存器 雇用 一个 专心致志的 读 补偿
寄存器 pointer. 这 内容 的 这 补偿 寄存器 能 是 读 在 这 q
0
-
Q
n
管脚 当
LD
是 设置 低 和
REN
是 设置 低. 为 这 idt72v295/
72v2105, 数据 是 读 通过 q
n
从 这 empty 补偿 lsb 寄存器 在 这
第一 低-至-高 转变 的 rclk. 在之上 这 第二 低-至-高
转变 的 rclk, 数据 是 读 从 这 empty 补偿 msb 寄存器.
在之上 这 第三 低-至-高 转变 的 rclk, 数据 是 读 从 这 全部
补偿 lsb 寄存器. 在之上 这 fourth 低-至-高 转变 的 rclk,
数据 是 读 从 这 全部 补偿 msb 寄存器. 这 fifth 转变 的 rclk
读, once 又一次, 从 这 empty 补偿 lsb 寄存器. 看 图示 15,
并行的 读 的 可编程序的 标记 寄存器
, 为 这 定时 图解 为
这个 模式.
它 是 容许的 至 中断 这 补偿 寄存器 读 sequence 和 读
或者 写 至 这 先进先出. 这 中断 是 accomplished 用 deasserting
REN
,
LD
, 或者 两个都 一起. 当
REN
LD
是 restored 至 一个 低 水平的, 读
的 这 补偿 寄存器 持续 在哪里 它 left 止. 它 应当 是 指出, 和 小心
应当 是 带去 从 这 事实 那 当 一个 并行的 读 的 这 标记 补偿 是
执行, 这 数据 文字 那 是 呈现 在 这 输出 线条 qn 将 是
overwritten.
并行的 读 的 这 补偿 寄存器 是 总是 permitted regardless 的
这个 定时 模式 (idt 标准 或者 fwft 模式) 有 被 选择.
retransmit 运作
这 retransmit 运作 准许 数据 那 有 already 被 读 至 是
accessed 又一次. 那里 是 二 stages: 第一, 一个 建制 程序 那 resets
这 读 pointer 至 这 第一 location 的 记忆, 然后 这 真实的 retransmit,
这个 组成 的 读 输出 这 记忆 内容, 开始 在 这 beginning
的 记忆.
retransmit 建制 是 initiated 用 支持
RT
低 在 一个 rising rclk
边缘.
REN
WEN
必须 是 高 在之前 bringing
RT
低. 在least 二
words, 但是 非 更多 比 d - 2words, 应当 有 被 写 在 这 先进先出
和 读 从 这 先进先出 在 重置 (主控 或者 partial) 和 这 时间 的
retransmit 建制. d=131,072 为 这 idt72v295 和 d=262,144 为 这
idt72v2105. 在 fwft 模式, d = 131,073 为 这 idt72v295 和 d =
262,145 为 这 idt72v2105.
这 retransmit 建制 用 设置
EF
低. 这 改变 在 水平的 将 仅有的 是
noticeable 如果
EF
是 高 在之前 建制. 在 这个 时期, 这 内部的 读
pointer 是 initialized 至 这 第一 location 的 这 内存 排列.
EF
变得 高, retransmit 建制 是 完全 和 读 行动
将 begin 开始 和 这 第一 location 在 记忆. 自从 idt 标准
模式 是 选择, 每 文字 读 包含 这 第一 文字 下列的
retransmit 建制 需要 一个 低 在
REN
至 使能 这 rising 边缘 的 rclk.
看 图示 11,
retransmit 定时 (idt 标准 模式)
, 为 这 相关的
定时 图解.
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