12
这 最大 rms 电流 必需的 用 这 调整器 将 是
closely 近似 through 这 下列的 等式:
为 一个 通过 孔 设计, 一些 electrolytic 电容 将
是 需要. 为 表面 挂载 设计, 固体的 tantalum
电容 能 是 使用, 但是 提醒 必须 是 exercised 和
关于 至 这 电容 surge current 比率. 这些 电容
必须 是 有能力 的 处理 这 surge-电流 在 电源-向上.
一些 电容 序列 有 从 reputable manufacturers
是 surge current 测试.
场效应晶体管 选择/仔细考虑
这 isl6526 需要 二 n-频道 电源 mosfets.
这些 应当 是 选择 为基础 在之上 r
ds(在)
, 门 供应
(所需的)东西, 和 热的 管理 (所需的)东西.
在 高-电流 产品, 这 场效应晶体管 电源 消耗,
包装 选择 和 散热器 是 这 首要的 设计
factors. 这 电源 消耗 包含 二 丧失 组件;
传导 丧失 和 切换 丧失. 这 传导 losses 是
这 largest 组件 的 电源 消耗 为 两个都 这 upper
和 这 更小的 mosfets. 这些 losses 是 distributed 在
这 二 mosfets 符合 至职责 因素. 这 切换
losses seen 当 sourcing 电流 将 是 不同的 从 这
切换 losses seen 当 下沉ing 电流. 当 sourcing
电流, 这 upper 场效应晶体管 realizes 大多数 的 这 切换
losses. 这 更小的 转变 realizes大多数 的 这 切换 losses
当 这 转换器 是 sinking 电流 (看 equations 在 next
页). 这些 equations 假设 直线的 电压-电流
transitions 和 做 不 adequately 模型 电源 丧失 预定的 这
反转-恢复 的 这 upper 和 更小的 场效应晶体管’s 身体
二极管. 这 门-承担 losses 是 dissipated 用 这 isl6526
和 don't 热温 这 mosfets. 不管怎样, 大 门-承担
增加 这 切换 间隔, t
SW
这个 增加 这
场效应晶体管
切换 losses. 确保那 两个都 mosfets 是
在里面 它们的 最大 接合面 temperature 在 高 包围的
温度 用 calculating 这 温度 上升 符合 至
包装 热的-阻抗 规格ifications. 一个 独立的 散热器
将 是 需要 取决于 在之上 场效应晶体管 电源, 包装
类型, 包围的 温度 和 空气 流动.
给 这 减少 有 门 偏差 电压 (5v), 逻辑-
水平的 或者 sub-逻辑-水平的 晶体管 应当 是 使用 为 两个都
n-mosfets. 提醒 应当 是 exercised 和 设备
exhibiting 非常 低 v
gs(在)
特性. 这 shoot-
通过 保护 呈现 aboard 这 isl6526 将 是
circumvented 用 这些 mosfets 如果 它们 有 大 parasitic
阻抗 和/或者 capacitances 那 将 inhibit 这 门
的 这 场效应晶体管 从 正在 释放 在下 它的 门槛
水平的 在之前 这 complementary 场效应晶体管 是 转变 在.
自举 组件 选择
外部 自举 组件, 一个 二极管 和 电容, 是
必需的 至 提供 sufficient 门 增强 至 这 upper
场效应晶体管. 这 内部的 场效应晶体管 门 驱动器 是 有提供的 用
这 外部 自举 电路系统 作 显示 在 图示 7. 这
激励 电容, c
激励
, develops 一个 floating 供应 电压
关联 至 这 阶段 管脚. th是 供应 是 refreshed 各自
循环, 当 d
激励
conducts, 至 一个 电压 的 cpvout 较少
这 激励 二极管 漏出, v
D
, 加 这 电压 上升 横过
Q
更小的
.
just 之后 这 pwm switching 循环 begins 和 这 承担
转移 从 这 自举 capacitor 至 这 门 电容
是 完全, 这 电压 在 这 自举 电容 是 在 它的
最低 要点 在 这 转变ing 循环. 这 承担 lost 在
这 自举 电容 将 是 equal 至 这 承担
transferred 至 这 相等的 门-源 电容 的 这
upper 场效应晶体管 作 显示:
在哪里 q
门
是 这 最大 总的 门 承担 的 这 upper
场效应晶体管, c
激励
是 这 自举 电容, v
BOOT1
是
这 自举 电压 立即 在之前 转变-在, 和
V
BOOT2
是 这 自举 电压 立即 之后 转变-在.
这 自举 电容 begins 它的 refresh 循环 当 这 门
驱动 begins 至 转变-止 这 upper 场效应晶体管. 一个 refresh 循环
ends 当 这 upper 场效应晶体管 是 转变 在 又一次, 这个
varies 取决于 在 这 切换 频率 和 职责 循环.
I
RMS
最大值
V
输出
V
在
--------------
I
输出
最大值
2
1
12
------
V
在
V
输出
–
Lf
s
×
-----------------------------
V
输出
V
在
--------------
×
2
×
+
×
=
P
更小的
= io
2
x r
ds(在)
x (1 - d)
在哪里: d 是 这 职责 循环 = v
输出
/ v
在
,
t
SW
是 这 联合的 转变 在 和 止 时间, 和
f
s
是 这 切换 频率.
losses 当 sourcing 电流
losses 当 sinking 电流
P
更小的
Io
2
r
DS 在
()
×
1D
–
()×
1
2
---
Io
⋅
V
在
×
t
SW
f
s
××
+=
P
UPPER
Io
2
r
DS 在
()
×
D
×
1
2
---
Io
⋅
V
在
×
t
SW
f
s
××
+=
P
UPPER
= io
2
x r
ds(在)
x d
ISL6526
地
LGATE
UGATE
阶段
激励
V
在
便条:
便条:
V
g-s
= v
CC
C
激励
D
激励
Q
UPPER
Q
更小的
+
-
图示 7. upper 门 驱动 自举
V
g-s
= v
CC
-v
D
+
V
D
-
CPVOUT
Q
门
C
激励
V
BOOT1
V
BOOT2
–
()×
=
ISL6526
: 点此下载
