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fn9084.8
12月 29, 2004
应用
在 页 3). 图示 15 和 等式 29 是
提供 至 assist 在 这 selecting 这 准确无误的 值 为 r
T
.
输入 电容 选择
这 输入 电容 是 有责任 为 sourcing 这 交流
组件 的 这 输入 电流 流 在 这 upper
mosfets. 它们的 rms 电流 capacity 必须 是 sufficient 至
handle 这 交流 组件 的 这 电流 描绘 用 这 upper
mosfets 这个 是 related 至职责 循环 和 这 号码 的
起作用的 阶段.
为 一个 二 阶段 设计, 使用 图示 15 至 决定 这
输入-电容 rms 电流 必要条件 给 这 职责
循环, 最大 sustained 输出 电流 (i
O
), 和 这 比率
的 这 联合的 顶峰-至-顶峰 inductor 电流 (i
c,pp
) 至 i
O
.
选择 一个 大(量) 电容 和 一个 波纹 电流 比率 这个 将
降低 这 总的 号码 的输入 电容 必需的 至
支持 这 rms 电流 计算. 这 电压 比率 的
这 电容 应当 也 是 在 least 1.25 时间 更好
比 这 最大 输入 电压.
计算数量 16 和 17 提供 这 一样 输入 rms 电流
信息 为 三 和 四 阶段 设计 各自.
使用 这 一样 approach 至 选择ing 这 大(量) 电容 类型
和 号码 作 描述 在之上.
低 电容, 高-频率 陶瓷的 电容 是
需要 在 增加 至 这 大(量) 电容 至 压制 leading
和 下落 边缘 电压 尖刺.这 结果 从 这 高
电流 回转 比率 生产 用 这 upper mosfets 转变 在
和 止. 选择 低 esl 陶瓷的 电容 和 放置 一个 作
关闭 作 可能 至 各自 upper 场效应晶体管 流 至 降低
板 parasitics 和 maximize 抑制.
图示 14. R
T
vs 切换 频率
100 1000 1000010
切换 频率 (khz)
10
100
1000
R
T
(k
Ω
)
R
T
10
11.09 1.13 f
S
()
log
–
[]
=
(eq. 29)
0.3
0.1
0
0.2
输入-电容 电流 (i
RMS
/ i
O
)
图示 15. normalized 输入-电容 rms 电流
vs 职责 循环 为 2-阶段 转换器
00.4 1.00.2 0.6 0.8
职责 循环 (v
在
/ v
O
)
I
c,pp
= 0
I
c,pp
= 0.5 i
O
I
c,pp
= 0.75 i
O
职责 循环 (v
在
/ v
O
)
图示 16. normalized 输入-电容 rms 电流
vs 职责 循环 为 3-阶段 转换器
00.4 1.00.2 0.6 0.8
输入-电容 电流 (i
RMS
/ i
O
)
0.3
0.1
0
0.2
I
c,pp
= 0
I
c,pp
= 0.25 i
O
I
c,pp
= 0.5 i
O
I
c,pp
= 0.75 i
O
输入-电容 电流 (i
RMS
/ i
O
)
图示 17. normalized 输入-电容 rms 电流
vs 职责 循环 为 4-阶段 转换器
00.4 1.00.2 0.6 0.8
职责 循环 (v
在
/ v
O
)
0.3
0.1
0
0.2
I
c,pp
= 0
I
c,pp
= 0.25 i
O
I
c,pp
= 0.5 i
O
I
c,pp
= 0.75 i
O
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