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资料编号:83914
 
资料名称:IS61C6416AL-12K
 
文件大小: 92.57K
   
说明
 
介绍:
64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
4
整体的 硅 解决方案, 公司 — www.issi.com —
1-800-379-4774
rev. 一个
01/17/05
ISSI
®
IS61C6416AL IS64C6416AL
IS62C6416AL IS65C6416AL
电容
(1,2)
标识 参数 Conditions 最大值 单位
C
输入 电容 V
= 0v 5 pF
C
输出
输出 电容 V
输出
= 0v 7 pF
注释:
1. 测试 initially 和 之后 任何 设计 或者 处理 改变 那 将 影响 这些 参数.
2. 测试 情况: t
一个
= 25°c, f = 1 mhz, v
DD
= 5.0v.
直流 电的 特性
(在 运行 范围)
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
V
OH
输出 高 电压 V
DD
= 最小值., i
OH
= –4.0 毫安 2.4 V
V
OL
输出 低 电压 V
DD
= 最小值., i
OL
= 8.0 毫安 0.4 V
V
IH
输入 高 电压 2.2 V
DD
+ 0.5 V
V
IL
输入 低 电压
(1)
–0.3 0.8 V
I
LI
输入 泄漏
V
V
DD
com. –1 1 µA
ind. –2 2
自动. –5 5
I
LO
输出 泄漏
V
输出
V
DD
com. –1 1 µA
输出 无能 ind. –2 2
自动. –5 5
便条:
1. V
IL
= –3.0v 为 脉冲波 宽度 较少 比 10 ns.
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