lattice 半导体 ispmach 4000v/b/c/z 家族 数据 薄板
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ispmach 4000v/b/c 外部 切换 特性 (内容.)
在 推荐 运行 情况
参数 描述
1, 2, 3
-5 -75 -10
unitsmin. 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
t
PD
5-pt 绕过 combinatorial 传播 延迟 — 5.0 — 7.5 — 10.0 ns
t
pd_mc
20-pt combinatorial 传播 延迟 通过 macrocell — 5.5 — 8.0 — 10.5 ns
t
S
glb 寄存器 建制 时间 在之前 时钟 3.0 — 4.5 — 5.5 — ns
t
ST
glb 寄存器 建制 时间 在之前 时钟 和 t-类型 寄存器 3.2 — 4.7 — 5.5 — ns
t
SIR
glb 寄存器 建制 时间 在之前 时钟, 输入 寄存器 path 1.2 — 1.7 — 1.7 — ns
t
SIRZ
glb 寄存器 建制 时间 在之前 时钟 和 零 支撑 2.2 — 2.7 — 2.7 — ns
t
H
glb 寄存器 支撑 时间 之后 时钟 0.0 — 0.0 — 0.0 — ns
t
HT
glb 寄存器 支撑 时间 之后 时钟 和 t-类型 寄存器 0.0 — 0.0 — 0.0 — ns
t
HIR
glb 寄存器 支撑 时间 之后 时钟, 输入 寄存器 path 1.0 — 1.0 — 1.0 — ns
t
HIRZ
glb 寄存器 支撑 时间 之后 时钟, 输入 寄存器 path 和
零 支撑
0.0 — 0.0 — 0.0 — ns
t
CO
glb 寄存器 时钟-至-输出 延迟 — 3.4 — 4.5 — 6.0 ns
t
R
外部 重置 管脚 至 输出 延迟 — 6.3 — 9.0 — 10.5 ns
t
RW
外部 重置 脉冲波 持续时间 2.0 — 4.0 — 4.0 — ns
t
ptoe/dis
输入 至 输出 local 产品 期 输出 使能/使不能运转 — 7.0 — 9.0 — 10.5 ns
t
gptoe/dis
输入 至 输出 global 产品 期 输出 使能/使不能运转 — 9.0 — 10.3 — 12.0 ns
t
goe/dis
global oe 输入 至 输出 使能/使不能运转 — 5.0 — 7.0 — 8.0 ns
t
CW
global 时钟 宽度, 高 或者 低 2.2 — 3.3 — 4.0 — ns
t
GW
global 门 宽度 低 (为 低 transparent) 或者 高 (为
高 transparent)
2.2 — 3.3 — 4.0 — ns
t
WIR
输入 寄存器 时钟 宽度, 高 或者 低 2.2 — 3.3 — 4.0 — ns
f
最大值
4
时钟 频率 和 内部的 反馈 227 — 168 — 125 — MHz
f
最大值
(ext.) 时钟 频率 和 外部 反馈, [1/ (t
S
+ t
CO
)] 156 — 111 — 86 — MHz
1. 定时 号码 是 为基础 在 default lvcmos 1.8 i/o 缓存区. 使用 定时 adjusters 提供 至 计算 其它 standards.
定时 v.3.2
2. 量过的 使用 标准 切换 电路, 假设 grp 加载 的 1 和 1 输出 切换.
3. 脉冲波 widths 和 时钟 widths 较少 比 最小 将 导致 unknown 行为.
4. 标准 16-位 计数器 使用 grp 反馈.
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