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资料编号:842389
 
资料名称:LC72722PM
 
文件大小: 114K
   
说明
 
介绍:
Single-Chip RDS Signal-Processing System LSI
 
 


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非. 5602-4/15
lc72722, 72722m, 72722pm
参数 标识 情况 比率 单位
最大 供应 电压 V
DD
最大值 vddd, vdda: vdda
vddd +0.3 v –0.3 至 +7.0 V
V
1 最大值 cl, di, ce, syr, t1, t2, t3, t4, t5, t6, t7, 同步 –0.3 至 +7.0 V
最大 输入 电压 V
2 最大值 XIN –0.3 至 vddd +0.3 V
V
3 最大值 mpxin, cin –0.3 至 vdda +0.3 V
V
O
1 最大值 做, 同步, rds-id, t3, t4, t5, t6, t7 –0.3 至 +7.0 V
最大 输出 电压 V
O
2 最大值 XOUT –0.3 至 vddd +0.3 V
V
O
3 最大值 FLOUT –0.3 至 vdda +0.3 V
I
O
1 最大值 做, t3, t4, t5, t6, t7 6.0 毫安
最大 输出 电流 I
O
2 最大值 xout, flout 3.0 毫安
I
O
3 最大值 同步, rds-id 20.0 毫安
lc72722:dip24s: 350 mW
容许的 电源 消耗 pd 最大值 Ta
85°C lc72722m:mfp24s: 150 mW
lc72722pm:mfp24: 175 mW
运行 温度 Topr –40 至 +85 °C
存储 温度 Tstg –55 至 +125 °C
规格
绝对 最大 比率
在 ta = 25°c, vssd = vssa = 0 v
参数 标识 情况
比率
单位
最小值 典型值 最大值
供应 电压
V
DD
1 vddd, vdda: vddd = vdda 4.5 5.0 5.5 V
V
DD
2 vddd: 串行 数据 支撑 电压 2.0 V
输入 高-水平的 电压 V
IH
cl, di, ce, syr, t1, t2 0.7 vddd 6.5 V
输入 低-水平的 电压 V
IL
cl, di, ce, syr, t1, t2 0 0.3 vddd V
输出 电压 V
O
做, 同步, rds-id, t3, t4, t5, t6, t7 6.5 V
V
1 mpxin : f = 57 ±2 khz 50 mVrms
输入 振幅 V
2 mpxin : 100% 调制 composite 100 mVrms
V
XIN
XIN 400 1500 mVrms
有保证的 结晶 振荡器 发生率 Xtal
xin, xout : ci
120
(xs = 0) 4.332 MHz
xin, xout : ci
70
(xs = 1) 8.664 MHz
结晶 振荡器 频率 背离 TXtal xin, xout : f
O
= 4.322 mhz, 8.664 mhz ±100 ppm
数据 建制 时间 t
SU
di, cl 0.75 µs
数据 支撑 时间 t
HD
di, cl 0.75 µs
时钟 低-水平的 时间 t
CL
CL 0.75 µs
时钟 高-水平的 时间 t
CH
CL 0.75 µs
ce wait 时间 t
EL
ce, cl 0.75 µs
ce 建制 时间 t
ES
ce, cl 0.75 µs
ce 支撑 时间 t
EH
ce, cl 0.75 µs
ce 高-水平的 时间 t
CE
CE 20 ms
数据 获得 改变 时间 t
LC
1.15 µs
t
直流
做, cl: differs 取决于 在 这 值 的 这
0.46 µs
数据 输出 时间
拉-向上 电阻 使用.
t
DH
做, ce: differs 取决于 在 这 值 的 这
0.46 µs
容许的 运行 范围
在 ta = –40 至 +85°c, vssd = vssa = 0 v
参数 标识 情况
比率
单位
最小值 典型值 最大值
输入 阻抗
Rmpxin mpxin–vssa : f = 57 khz 43 k
Rcin cin–vssa : f = 57 khz 100 k
内部的 反馈 阻抗 Rf XIN 1.0 M
中心 频率 fc FLOUT 56.5 57.0 57.5 kHz
–3 db 带宽 bw – 3 db FLOUT 2.5 3.0 3.5 kHz
增益 增益 mpxin–floout : f = 57 khz 28 31 34 dB
电的 特性
在 ta = –40 至 +85°c, vssd = vssa = 0 v
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