ad8065/ad8066
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热的 仔细考虑
和 24 v 电源 供应 和 6.5 毫安 安静的 电流, 这
ad8065 dissipates 156 mw 和 非 加载. 这 ad8066
dissipates 312 mw. 这个 能 含铅的 至 noticeable 热的 影响,
特别 在 这 小 sot-23-5 (热的 阻抗 的
160°c/w). v
OS
温度 逐渐变化 是 修整 至 保证 一个
最大 逐渐变化 的 17 µv/°c, 所以 它 能 改变 向上 至 0.425 mv
预定的 至 warm-向上 影响 为 一个 ad8065/ad8066 在 一个 sot-23-5
包装 在 24 v.
I
b
增加 用 一个 因素 的 1.7 为 每 10°c 上升 在 温度.
I
b
将 是 关闭 至 5 时间 高等级的 在 24 v 供应 作 opposed 至 一个
单独的 5 v 供应.
重的 负载 将 增加 电源 消耗 和 raise 这 碎片
接合面 温度 作 描述 在 这 最大 电源
消耗 部分. 小心 应当 是 带去 至 不 超过 这
评估 电源 消耗 的 这 包装.
输入 和 输出 超载 行为
这 ad8065/ad8066 有 内部的 电路系统 至 守卫 相反
阶段 倒置 预定的 至 overdriving 这 输入 平台. 一个 simplified
图式 的 这 输入 平台, 包含 这 输入-保护
二极管 和 antiphase 倒置 电路系统, 是 显示 在 图示 56.
这 电路 是 arranged 此类 那 当 这 输入 一般-
模式 电压 超过 一个 确实 门槛, 这 输入 jfet 一双’s
偏差 电流 将 转变 止, 和 这 偏差 电流 的 一个 auxiliary
npn 一双 将 转变 在, 带去 在 控制 的这 放大器.
当 这 输入 一般模式 电压 returns 至 一个 viable
运行 值, 这 场效应晶体管 平台 转变 后面的 在, 这 npn 平台
转变 止, 和 正常的 运作 重新开始.
这 npn 一双 能 支持 运作 和 这 输入 电压 向上
至 这 积极的 供应, 所以 这个 是 一个 pseudo 栏杆-至-栏杆 输入 平台.
为 运作 在之外 这 场效应晶体管 平台’s 一般模式 限制, 这
放大器’s v
OS
将 改变 至 这 npn 一双’s 补偿 (意思 的
160 µv, 标准 背离 的 820 µv), 和 i
b
将 增加 至 这
npn 一双’s 根基 电流 向上 至 45 µa (看 图示 32).
switchback, 或者 恢复 时间, 是 关于 100 ns, 看 图示 27.
这 输出 晶体管 的 这 栏杆-至-栏杆 输出 平台 有
电路系统 至 限制 这 程度 的 它们的 饱和 当 这 输出
是 过载. 这个 helps 输出 recovery 时间. 输出 recovery
从 一个 0.5 v 输出 overdrive 在 一个 ±5 v 供应 是 显示 在
图示 24.
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