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LT3027
3027f
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直线的 技术 公司 2004
直线的 技术 公司
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典型 applicatio s
U
OUT1
BYP1
ADJ1
OUT2
BYP2
ADJ2
LT3027
1
µ
F
V
IN1
3.7v 至 20v
止 在
0.01
µ
F
0.01
µ
F
422k
261k
249k
249k
35.7k
28k
10
µ
F
10
µ
F
3027 ta03a
3.3v
在
100mA
2.5v
在
100mA
地
0.47
µ
F
IN1
1
µ
F
V
IN2
2.9v 至 20v
IN2
SHDN1
SHDN2
V
SHDN1
1v/div
V
OUT1
1v/div
V
OUT2
1v/div
2ms/div
3027 ta03b
V
SHDN1
1v/div
V
OUT1
1v/div
V
OUT2
1v/div
2ms/div
3027 ta03c
startup sequencing
转变-在 波形 转变-止 波形
部分 号码 描述 COMMENTS
LT1185 3a, 负的 ldo 精确 可编程序的 电流 限制, 偏远的 sense
V
在
: –35v 至 –4.2v, v
输出(最小值)
= –2.40v, 落后 电压 = 0.8v, i
Q
= 2.5ma,
I
SD
= <1
µ
一个, v
输出
= adj., to220-5 包装
LT1761 100ma, 低 噪音 微小功率, ldo 低 噪音 < 20
µ
V
RMS
, 稳固的 和 1
µ
f 陶瓷的 电容,
V
在
: 1.8v 至 20v, v
输出(最小值)
= 1.22v, 落后 电压 = 0.3v, i
Q
= 20
µ
一个,
I
SD
= <1
µ
一个, v
输出
= adj., 1.5, 1.8, 2, 2.5, 2.8, 3, 3.3, 5, thinsot 包装
LT1762 150ma, 低 噪音 微小功率, ldo 低 噪音 < 20
µ
V
RMS
,
V
在
: 1.8v 至 20v, v
输出(最小值)
= 1.22v, 落后 电压 = 0.3v, i
Q
= 25
µ
一个,
I
SD
= <1
µ
一个, v
输出
= adj., 2.5, 3, 3.3, 5, ms8 包装
LT1763 500ma, 低 噪音 微小功率, ldo 低 噪音 < 20
µ
V
RMS
,
V
在
: 1.8v 至 20v, v
输出(最小值)
= 1.22v, 落后 电压 = 0.3v, i
Q
= 30
µ
一个,
I
SD
= <1
µ
一个, v
输出
= 1.5, 1.8, 2.5, 3, 3.3, 5, s8 包装
lt1764/lt1764a 3a, 低 噪音, 快 瞬时 回馈, ldo 低 噪音 < 40
µ
V
RMS
, "一个" 版本 稳固的 和 陶瓷的 电容,
V
在
: 2.7v 至 20v, v
输出(最小值)
= 1.21v, 落后 电压 = 0.34v, i
Q
= 1ma,
I
SD
= <1
µ
一个, v
输出
= 1.8, 2.5, 3.3, dd, to220 包装
LTC1844 150ma, 非常 低 漏出-输出 ldo 低 噪音 < 30
µ
V
RMS
, 稳固的 和 1
µ
f 陶瓷的 电容,
V
在
: 1.6v 至 6.5v, v
输出(最小值)
= 1.25v, 落后 电压 = 0.08v, i
Q
= 40
µ
一个,
I
SD
= <1
µ
一个, v
输出
= adj., 1.5, 1.8, 2.5, 2.8, 3.3, thinsot 包装
LT1962 300ma, 低 噪音 微小功率, ldo 低 噪音 < 20
µ
V
RMS
,
V
在
: 1.8v 至 20v, v
输出(最小值)
= 1.22v, 落后 电压 = 0.27v, i
Q
= 30
µ
一个,
I
SD
= <1
µ
一个, v
输出
= 1.5, 1.8, 2.5, 3, 3.3, 5, ms8 包装
lt1963/lt1963a 1.5a, 低 噪音, 快 瞬时 回馈, ldo 低 噪音 < 40
µ
V
RMS
, "一个" 版本 稳固的 和 陶瓷的 电容,
V
在
: 2.1v 至 20v, v
输出(最小值)
= 1.21v, 落后 电压 = 0.34v, i
Q
= 1ma,
I
SD
= <1
µ
一个, v
输出
= 1.5, 1.8, 2.5, 3.3, dd, to220, sot-223, s8 包装
LT1964 200ma, 低 噪音 微小功率, 负的 ldo 低 噪音 < 30
µ
V
RMS
, 稳固的 和 陶瓷的 电容,
V
在
: –0.9v 至 –20v, v
输出(最小值)
= –1.21v, 落后 电压 = 0.34v, i
Q
= 30
µ
一个,
I
SD
= 3
µ
一个, v
输出
= adj., –5, thinsot 包装
LT3020 100ma, vldo 在 msop 低 噪音 < 245
µ
V
RMS
, 稳固的 和 2.2
µ
f 陶瓷的 电容,
V
在
: 0.9v 至 10v, v
输出(最小值)
= 0.2 v, 落后 电压 = 0.155v, i
Q
= 140
µ
一个,
I
SD
= <3
µ
一个, v
输出
= adj., ms8, dfn 包装
LT3023 双 100ma, 低 噪音 微小功率, ldo 双 低 噪音 < 20
µ
V
RMS
, 稳固的 和 1
µ
f 陶瓷的 电容,
V
在
: 1.8v 至 20v, v
输出(最小值)
= 1.22 v, 落后 电压 = 0.3v, i
Q
= 40
µ
一个,
I
SD
= <1
µ
一个, v
输出
= adj., ms10, dfn 包装
LT3024 双 100ma/500ma, 低 噪音 微小功率, ldo 双 低 噪音 < 20
µ
V
RMS
, 稳固的 和 1
µ
f/3.3
µ
f 陶瓷的 电容,
V
在
: 1.8v 至 20v, v
输出(最小值)
= 1.22 v, dropout 电压 = 0.3v, i
Q
= 60
µ
一个,
I
SD
= <1
µ
一个, v
输出
= adj., tssop16, dfn 包装
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