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LTC1775
正常情况下, 这 顶 和 bottom mosfets 将 是 的 这 一样
类型. 一个 bottom 场效应晶体管 和 更小的 r
ds(在)
比 这 顶
将 是 选择 如果 这 结果 增加 在 短的-电路
电流 是 tolerable. 不管怎样, 这 bottom 场效应晶体管 应当
从不 是 选择 至 有 一个 高等级的 名义上的 r
ds(在)
比 这
顶 场效应晶体管.
inductor 核心 选择
once 这 值 为 l 是 知道, 这 类型 的 inductor 必须 是
选择. 高 效率 转换器 一般地 不能
afford 这 核心 丧失 建立 在 低 费用 powdered iron cores,
forcing 这 使用 的 更多 expensive ferrite, molypermalloy
或者 kool m
µ
®
cores. 真实的 核心 丧失 是 独立 的 核心
大小 为 一个 fixed inductor 值, 但是 它 是 非常 依赖 在
这 电感 选择. 作 电感 增加, 核心
losses go 向下. unfortunately, 增加 电感
需要 更多 转变 的 线 和 因此 铜 losses
将 增加.
ferrite 设计 有 非常 低 核心 丧失 和 是 preferred
在 高 切换 发生率, 所以 设计 goals 能 con-
centrate 在 铜 丧失 和 阻止 饱和. ferrite
核心 材料 saturates “hard,” 这个 意思 那 induc-
tance collapses 迅速 当 这 顶峰 设计 电流 是
超过. 这个 结果 在 一个 abrupt 增加 在 inductor
波纹 电流 和 consequent 输出 电压 波纹. 做
不 准许 这 核心 至 saturate!
molypermalloy (从 磁性材料, inc.) 是 一个 非常 好的, 低
丧失 核心 材料 为 toroids, 但是 它 是 更多 expensive 比
ferrite. 一个 合理的 compromise 从 这 一样 manu-
facturer 是 kool m
µ
. toroids 是 非常 空间 效率高的,
特别 当 你 能 使用 一些 layers 的 线.
因为 它们 一般地 lack 一个 bobbin, 挂载 是 更多
difficult. 不管怎样, 设计 为 表面 挂载 是 有
这个 做 不 增加 这 height significantly.
肖特基 二极管 选择
这 肖特基 二极管 d1 显示 在 图示 1 conducts 在
这 dead 时间 在 这 传导 的 这 电源
mosfets. 这个 阻止 这 身体 二极管 的 这 bottom
场效应晶体管 从 turning 在 和 storing 承担 在 这
dead 时间, 这个 可以 费用 作 更 作 1% 在 效率.
一个 1a 肖特基 二极管 是 一般地 一个 好的 大小 为 3a 至 5a
regulators. 这 二极管 将 是 omitted 如果 这 效率 丧失
能 是 tolerated.
parasitic 含铅的 电感 影响
因为 这 ltc1775 是 设计 至 运作 和 rela-
tively 大 电流 通过 单独的 (或者 多样的) 场效应晶体管
switches, 这 含铅的 电感 的 这些 电源 switches 能
变为 一个 重大的 concern. 这 表格 在下 显示
典型 值 的 含铅的 电感 为 一些 一般 包装-
ages:
场效应晶体管 包装 含铅的 电感
至-220 4nh 至 12nh
DDPAK 4nH
DPAK 1.5nh
所以-8 1nH
的 particular concern 是 switches 在 至-220 包装
这个 能 有 一个 序列 电感 的 在 4nh 和
12nh 取决于 在之上 这 depth 的 嵌入 在 这
电路 板. 当 这 主要的 (顶) 转变 是 转变 在, 这
含铅的 电感 lp 形式 一个 电压 分隔物 和 这 电源
inductor l1. 这 电压 v
LP
横过 这个 parasitic adds 至
这 电压 从 这 转变 在-阻抗 和 增加
这 电流 sense 电压.
V
LP
= (v
在
– v
输出
)lp/l1
这 结果 是 更小的 值 的 电流 限制 比 将 有
被 预期的 否则. 为 例子, 一个 10nh 含铅的 induc-
tance 和 一个 5
µ
h 电源 inductor 有 50mv 横过 它 当
V
在
= 30v 和 v
输出
= 5v. 因此, 这 300mv 电流 限制
将 是 reached 当 这 转变 电压 预定的 至 在-
阻抗 是 仅有的 250mv, 一个 17% 减少. 这个 效应 是
大多数 noticeable 在 高等级的 输入 电压.
含铅的 电感 也 减少 这 益处 的 这 肖特基
二极管 d1 用 delaying commutation 的 这 inductor 电流
从 这 二极管 在 至 这 同步的 (bottom) 转变.
和 这 二极管 向前 片面的 当 这 同步的
转变 转变 在, 那里 是 仅有的 关于 500mv 应用 横过
这 含铅的 和 查出 电感 在 这 转变 和 这
二极管. 它 takes 关于 400ns 至 commutate 一个 20a 电流 在
这个 情况. 这个 延迟 减少 效率 和 能 也
增加 这 foldback 电流 限制 的 这 ltc1775. 这
kool m
µ
是 一个 注册 商标 的 磁性材料, 公司
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