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LTC1775
减少 这 信号 摆动 在 这 门 用 一个 二极管 漏出. 因此,
这 ltc1775 需要 一个 增加 extv
CC
电压 的
关于 6v (此类 作 提供 用 这 图示 6 电路) 当
使用 这个 驱动器.
输出 电压 程序编制
这 ltc1775 有 一个 管脚 可选择的 输出 电压 deter-
mined 用 这 v
PROG
管脚 作 跟随:
V
PROG
V
输出
0V 3.3v
INTV
CC
5V
打开 可调整的
偏远的 感觉到 的 这 输出 电压 是 提供 用 这
V
OSENSE
管脚. 为 fixed 3.3v 和 5v 输出 产品 一个
内部的 resistive 分隔物 是 使用 和 这 v
OSENSE
管脚 是
连接 直接地 至 这 输出 电压 作 显示 在
图示 8a. 当 使用 一个 外部 resistive 分隔物, 这
V
PROG
管脚 是 left 打开 和 这 v
OSENSE
管脚 是 连接 至
反馈 电阻器 作 显示 在 图示 8b. 这 输出
电压 是 设置 用 这 分隔物 作:
VV
R
R
输出
=+
119 1
2
1
.
图示 8a. fixed 3.3v 或者 5v v
输出
图示 8b. 可调整的 v
输出
V
PROG
INTV
CC
连接 为
V
输出
= 5v
连接 为
V
输出
= 3.3v
LTC1775
V
OSENSE
1775 f08a
SGND
C
输出
V
输出
+
V
PROG
打开
LTC1775
V
OSENSE
1775 f08b
SGND
C
输出
V
输出
R1
R2
+
电压 是 在 4.7v 和 5.2v, intv
CC
将 是 con-
nected 至 这 输出 和 这 门 驱动 是 减少. 这
结果 增加 在 r
ds(在)
将 也 更小的 这 电流
限制. 甚至 产品 和 v
输出
> 5.2v 将 traverse 这个
区域 在 开始-向上 和 必须 引领 在 账户 这
减少 电流 限制.
topside 场效应晶体管 驱动器 供应 (c
B
, d
B
)
一个 外部 自举 电容 (c
B
在 这 函数的 dia-
gram) 连接 至 这 boost 管脚 供应 这 门 驱动
电压 为 这 topside 场效应晶体管. 这个 电容 是 charged
通过 二极管 d
B
从 intv
CC
当 这 sw node 是 低.
便条 那 这 电压 横过 c
B
是 关于 一个 二极管 漏出 在下
INTV
CC
. 当 这 顶 场效应晶体管 转变 在, 这 转变 node
电压 rises 至 v
在
和 这 boost 管脚 rises 至 approxi-
mately v
在
+ intv
CC
. 在 落后 运作, c
B
sup-
plies 这 顶 驱动器 为 作 长 作 ten 循环 在 re-
freshes. 因此, 这 boost 电容 needs 至 store 关于
100 时间 这 门 承担 必需的 用 这 顶 场效应晶体管. 在
许多 产品 0.1
µ
f 至 0.47
µ
f 是 足够的.
当 调整 这 门 驱动 水平的 , 这 最终 arbiter 是 这
总的 输入 电流 为 这 调整器. 如果 你 制造 一个 改变
和 这 输入 电流 减少, 然后 你 改进 这
效率. 如果 那里 是 非 改变 在 输入 电流, 然后 那里
是 非 改变 在 效率.
外部 门 驱动 缓存区
这 ltc1775 驱动器 是 足够的 为 驱动 向上 至 关于
30nc 在 场效应晶体管 switches. 当 使用 大 单独的, 或者
多样的, 场效应晶体管 switches, 外部 缓存区 将 是 re-
quired 至 提供 额外的 门 驱动 能力. 特定的
目的 门 驱动器 电路 此类 作 这 ltc1693 是 完美的
在 此类 具体情况. alternately, 这 外部 缓存区 电路 显示
在 图示 7 能 是 使用. 便条 那 这 双极 设备
Q1
FMMT619
门
的 m1
TG
BOOST
SW
Q2
FMMT720
Q3
FMMT619
门
的 m2
BG
1775 f07
INTV
CC
PGND
Q4
FMMT720
图示 7. optional 外部 门 驱动器
APPLICATIOs i 为 atio
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