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LTC1775
losses ranging 从 2% 至 8% 作 这 输出 电流
增加 从 0.5a 至 2a 为 一个 5v 输出. i
2
r losses
导致 这 效率 至 漏出 在 高 输出 电流.
3. 转变 losses 应用 仅有的 至 这 topside 场效应晶体管,
和 仅有的 当 运行 在 高 输入 电压 (typi-
cally 20v 或者 更好). 转变 losses 能 是 esti-
mated 从:
转变 丧失 = (1.7)(v
在
2
)(i
o(最大值)
)(c
RSS
)(f)
4. ltc1775 v
在
供应 电流. 这 v
在
电流 是 这 直流
供应 电流 至 这 控制 excluding 场效应晶体管 门
驱动 电流. 总的 供应 电流 是 典型地 关于
850
µ
一个. 如果 extv
CC
是 连接 至 5v, 这 ltc1775 将
绘制 仅有的 330
µ
一个 从 v
在
和 这 remaining 520
µ
一个 将
来到 从 extv
CC
. v
在
电流 结果 在 一个 小
(<1%) 丧失 这个 增加 和 v
在
.
其它 losses 包含 c
在
和 c
输出
等效串联电阻 dissipative
losses, 肖特基 传导 losses 在 dead 时间 和
inductor 核心 losses, 一般地 账户 为 较少 比 2%
总的 额外的 丧失.
checking 瞬时 回馈
这 调整器 循环 回馈 能 是 审查 用 looking 在
这 加载 瞬时 回馈. 切换 regulators 引领
一些 循环 至 respond 至 一个 步伐 在 加载 电流. 当
一个 加载 步伐 occurs, v
输出
立即 shifts 用 一个 数量
equal 至 (
∆
I
加载
)(等效串联电阻), 在哪里 等效串联电阻 是 这 有效的 序列
阻抗 的 c
输出
, 和 c
输出
begins 至 承担 或者 dis-
承担. 这 调整器 循环 acts 在 这 结果 反馈
错误 信号 至 返回 v
输出
至 它的 稳步的-状态 值. 在
这个 恢复 时间 v
输出
能 是 监控 为 越过 或者
ringing 这个 将 表明 一个 稳固 问题. 这 i
TH
管脚 外部 组件 显示 在 图示 1 将 提供
足够的 补偿 为 大多数 产品.
一个 第二, 更多 severe 瞬时 是 造成 用 连接
负载 和 大 (>1
µ
f) 供应 绕过 电容. 这
释放 绕过 电容 是 effectively 放 在 并行的
和 c
输出
, 造成 一个 迅速 漏出 在 v
输出
. 非 调整器 能
deliver 足够的 电流 至 阻止 这个 问题 如果 这 加载
转变 阻抗 是 低 和 它 是 驱动 quickly. 这 仅有的
解决方案 是 至 限制 这 上升 时间 的 这 转变 驱动 在 顺序
至 限制 这 inrush 电流 至 这 加载.
循环 skipping 能 出现 和 correspondingly 大
电流 和 电压 波纹.
效率 仔细考虑
这 效率 的 一个 切换 调整器 是 equal 至 这
输出 电源 分隔 用 这 输入 电源 (
×
100%). 每-
cent 效率 能 是 表示 作:
%efficiency = 100% – (l1 + l2 + l3 + ...)
在哪里 l1, l2, 等 是 这 单独的 losses 作 一个 percentage
的 输入 电源. 它 是 常常 有用的 至 analyze 单独的
losses 至 决定 what 是 限制的 这 效率 和
这个 改变 将 生产 这 大多数 改进.
虽然 所有 dissipative elements 在 这 电路 生产
losses, 四 主要的 来源 通常地 账户 为 大多数 的 这
losses 在 ltc1775 电路:
1. INTV
CC
电流. 这个 是 这 总 的 这 场效应晶体管 驱动器
和 控制 电流. 这 驱动器 电流 结果 从
切换 这 门 电容 的 这 电源 mosfets.
各自 时间 一个 场效应晶体管 门 是 切换 在 和 然后 止,
一个 小包装板盒 的 门 承担 q
g
moves 从 intv
CC
至
地面. 这 结果 电流 输出 的 intv
CC
是 典型地
更 大 比 这 控制 电路 电流. 在 continu-
ous 模式, i
GATECHG
= f(q
g(顶)
+ q
g(bot)
).
用 powering extv
CC
从 一个 输出-获得 源,
这 额外的 v
在
电流 结果 从 这 驱动器 和
控制 电流 将 是 scaled 用 一个 因素 的 职责 循环/
效率. 为 例子, 在 一个 20v 至 5v 应用 在
400ma 加载, 10ma 的 intv
CC
电流 结果 在 ap-
proximately 3ma 的 v
在
电流. 这个 减少 这 丧失
从 10% (如果 这 驱动器 是 powered 直接地 从 v
在
)
至 关于 3%.
2. 直流 i
2
r losses. 自从 那里 是 非 独立的 sense resis-
tor, 直流 i
2
r losses arise 仅有的 从 这 抵制 的 这
mosfets 和 inductor. 在 持续的 模式 这 aver-
age 输出 电流 flows 通过 l, 但是 是 “chopped”
在 这 顶 场效应晶体管 和 这 bottom 场效应晶体管. 如果
这 二 mosfets 有 大概 这 一样 r
ds(在)
,
然后 这 阻抗 的 一个 场效应晶体管 能 simply 是
summed 和 这 阻抗 的 l 至 获得 这 直流 i
2
R
丧失. 为 例子, 如果 各自 r
ds(在)
= 0.05
Ω
和 r
L
=
0.15
Ω
, 然后 这 总的 阻抗 是 0.2
Ω
. 这个 结果 在
APPLICATIOs i 为 atio
WUUU