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LTC3736
3736f
这 典型 ltc3736 应用 电路 是 显示 在 图-
ure␣ 13. 外部 组件 选择 为 各自 的 这
ltc3736’s 控制者 是 驱动 用 这 加载 必要条件
和 begins 和 这 选择 的 这 inductor (l) 和 这
电源 mosfets (mp 和 mn).
电源 场效应晶体管 选择
各自 的 这 ltc3736’s 二 控制者 需要 二 exter-
nal 电源 mosfets: 一个 p-频道 场效应晶体管 为 这 topside
(主要的) 转变 和 一个 n-频道 场效应晶体管 为 这 bottom
(同步的) 转变. 重要的 参数 为 这 电源
mosfets 是 这 损坏 电压 v
br(dss)
, 门槛
电压 v
gs(th)
, 在-阻抗 r
ds(在)
, 反转 转移
电容 c
RSS
, 转变-止 延迟 t
d(止)
和 这 总的 门
承担 q
G
.
这 门 驱动 电压 是 这 输入 供应 电压. 自从 这
ltc3736 是 设计 为 运作 向下 至 低 输入
电压, 一个 sublogic 水平的 场效应晶体管 (r
ds(在)
有保证的 在
V
GS
= 2.5v) 是 必需的 为 产品 那 工作 关闭 至
这个 电压. 当 这些 mosfets 是 使用, 制造 确信
那 这 输入 供应 至 这 ltc3736 是 较少 比 这 abso-
lute 最大 场效应晶体管 v
GS
比率, 这个 是 典型地 8v.
这 p-频道 场效应晶体管’s 在-阻抗 是 选择 为基础
在 这 必需的 加载 电流. 这 最大 平均
输出 加载 电流 i
输出(最大值)
是 equal 至 这 顶峰 inductor
电流 minus half 这 顶峰-至-顶峰 波纹 电流 i
波纹
.
这 ltc3736’s 电流 比较器 monitors 这 流-至-
源 电压 v
DS
的 这 p-频道 场效应晶体管, 这个 是
sensed 在 这 sense
+
和 sw 管脚. 这 顶峰
inductor 电流 是 限制 用 这 电流 门槛, 设置 用
这 电压 在 这 i
TH
管脚 的 这 电流 比较器. 这
电压 在 这 i
TH
管脚 是 内部 clamped, 这个 限制
这 最大 电流 sense 门槛
∆
V
sense(最大值)
至
大概 128mv 当 iprg 是 floating (86mv 当
iprg 是 系 低; 213mv 当 iprg 是 系 高).
这 输出 电流 那 这 ltc3736 能 提供 是 给
用:
I
V
R
I
输出 最大值
SENSE 最大值
DS 在
波纹
()
()
()
–
=
∆
2
一个 合理的 开始 要点 是 设置 波纹 电流 i
波纹
至 是 40% 的 i
输出(最大值)
. rearranging 这 在之上 等式
产量:
R
V
I
DS 在 最大值
SENSE 最大值
输出 最大值
()( )
()
()
•
=
∆
5
6
为 职责 循环 < 20%.
不管怎样, 为 运作 在之上 20% 职责 循环, 斜度
补偿 有 至 是 带去 在 仔细考虑 至 选择
这 适合的 值 的 r
ds(在)
至 提供 这 必需的
数量 的 加载 电流:
RSF
V
I
DS 在 最大值
SENSE 最大值
输出 最大值
()( )
()
()
••
=
∆
5
6
在哪里 sf 是 一个 规模 因素 谁的 值 是 得到 从 这
曲线 在 图示 1.
这些 必须 是 更远 derated 至 引领 在 账户 这
重大的 变化 在 在-阻抗 和 温度.
这 下列的 等式 是 一个 好的 手册 为 determining 这
必需的 r
ds(在)最大值
在 25
°
c (生产者’s specifica-
tion), 准许 一些 余裕 为 变化 在 这 ltc3736
和 外部 组件 值:
RSF
V
I
DS 在 最大值
SENSE 最大值
输出 最大值 T
()( )
()
()
•.• •
•
=
∆
5
6
09
ρ
这
ρ
T
是 一个 normalizing 期 accounting 为 这 tempera-
ture 变化 在 在-阻抗, 这个 是 典型地 关于
0.4%/
°
c, 作 显示 在 图示 4. 接合面 至 情况 tempera-
ture t
JC
是 关于 10
°
c 在 大多数 产品. 为 一个 maxi-
mum 包围的 温度 的 70
°
c, 使用
ρ
80
°
C
~ 1.3 在
这 在之上 等式 是 一个 合理的 选择.
这 电源 dissipated 在 这 顶 和 bottom mosfets
strongly 取决于 在 它们的 各自的 职责 循环 和 加载
电流. 当 这 ltc3736 是 运行 在 持续的
模式, 这 职责 循环 为 这 mosfets 是:
顶 p-频道 职责 循环 =
V
bottom n-频道 职责 循环 =
V
输出
在
V
V
V
在
输出
在
–
APPLICATIOs i 为 atio
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