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LTC3736
3736f
这 场效应晶体管 电源 dissipations 在 最大 输出
电流 是:
P
V
V
IRkV
IR
P
VV
V
IR
顶
输出
在
输出 最大值 T DS 在 在
输出 最大值 T DS 在
BOT
在 输出
在
输出 最大值 T DS 在
=+
=
••• •
•••
–
•••
() ()
() ()
() ()
22
2
ρ
ρ
ρ
两个都 mosfets 有 i
2
r losses 和 这 p
顶
等式
包含 一个 额外的 期 为 转变 losses, 这个 是
largest 在 高 输入 电压. 这 常量 k = 2a
–1
能
是 使用 至 估计 这 数量 的 转变 丧失. 这
bottom 场效应晶体管 losses 是 greatest 在 高 输入 电压
或者 在 一个 短的 电路 当 这 bottom 职责 循环 是
nearly 100%.
这 ltc3736 运用 一个 nonoverlapping, antishoot-通过
门 驱动 控制 scheme 至 确保 那 这 p- 和
n-频道 mosfets 是 不 转变 在 在 这 一样 时间.
至 函数 合适的, 这 控制 scheme 需要 那 这
mosfets 使用 是 将 为 直流/直流 切换 applica-
tions. 许多 电源 mosfets, 特别 p-频道
mosfets, 是 将 至 是 使用 作 静态的 switches 和
因此 是 慢 至 转变 在 或者 止.
合理的 开始 criteria 为 selecting 这 p-频道
场效应晶体管 是 那 它 必须 典型地 有 一个 门 承担 (q
G
)
较少 比 25nc 至 30nc (在 4.5v
GS
) 和 一个 转变-止 延迟
(t
d(止)
) 的 较少 比 大概 140ns. 不管怎样, 预定的
至 differences 在 测试 和 规格 方法 的 各种各样的
场效应晶体管 manufacturers, 和 在 这 变化 在 q
G
和
t
d(止)
和 门 驱动 (v
在
) 电压, 这 p-频道 场效应晶体管
ultimately 应当 是 evaluated 在 这 真实的 ltc3736
应用 电路 至 确保 恰当的 运作.
shoot-通过 在 这 p-频道 和 n-频道
mosfets 能 大多数 容易地 是 spotted 用 monitoring 这
输入 供应 电流. 作 这 输入 供应 电压 在-
creases, 如果 这 输入 供应 电流 增加 dramatically,
然后 这 likely 导致 是 shoot-通过. 便条 那 一些
mosfets 那 做 不 工作 好 在 高 输入 电压 (e.g.,
V
在
> 5v) 将 工作 fine 在 更小的 电压 (e.g., 3.3v).
表格 1 显示 一个 选择 的 p-频道 mosfets 从
不同的 manufacturers 那 是 知道 至 工作 好 在
ltc3736 产品.
selecting 这 n-频道 场效应晶体管 是 典型地 easier, 自从
为 一个 给 r
ds(在)
, 这 门 承担 和 转变-在 和 转变-
止 延迟 是 更 小 比 为 一个 p-频道 场效应晶体管.
表格 1. 选择 p-频道 mosfets 合适的 为 ltc3736
产品
部分
号码 生产者 类型 包装
Si7540DP Siliconix Complementary PowerPak
p/n 所以-8
Si9801DY Siliconix Complementary 所以-8
p/n
FDW2520C 仙童 Complementary tssop-8
p/n
FDW2521C 仙童 Complementary tssop-8
p/n
Si3447BDV Siliconix 单独的 p tsop-6
Si9803DY Siliconix 单独的 p 所以-8
FDC602P 仙童 单独的 p tsop-6
FDC606P 仙童 单独的 p tsop-6
FDC638P 仙童 单独的 p tsop-6
FDW2502P 仙童 双 p tssop-8
FDS6875 仙童 双 p 所以-8
HAT1054R Hitachi 双 p 所以-8
ntmd6p02r2-d 在 semi 双 p 所以-8
APPLICATIOs i 为 atio
WUUU
接合面 温度 (
°
c)
–50
ρ
T
normalized 在 阻抗
1.0
1.5
150
3736 f04
0.5
0
0
50
100
2.0
图示 4. r
ds(在)
vs 温度
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