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m29f400bt, m29f400bb
这 blocks 在 这 记忆 是 asymmetrically ar-
ranged, 看 tables 3 和 4, 块 地址. 这
第一 或者 last 64 kbytes 有 被 分隔 在 四
额外的 blocks. 这 16 kbyte 激励 块 能 是
使用 为 小 initialization 代号 至 开始 这 微观的-
处理器, 这 二 8 kbyte 参数 blocks 能
是 使用 为 参数 存储 和 这 remaining
32k 是 一个 小 主要的 块 在哪里 这 应用
将 是 贮存.
碎片 使能, 输出 使能 和 写 使能 sig-
nals 控制 这 总线 运作 的 这 记忆.
它们 准许 简单的 连接 至 大多数 micropro-
cessors, 常常 没有 额外的 逻辑.
这 记忆 是 offered 在 tsop48 (12 x 20mm)
和 so44 包装 和 它 是 有提供的 和 所有 这
位 erased (设置 至 ’1’).
表格 2. 绝对 最大 比率
(1)
便条: 1. 除了 为 这 比率 "运行 温度 范围", 压力 在之上 那些 列表 在 这 表格 "绝对 最大 比率"将
导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力 比率 仅有的 和 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况
在之上 那些 表明 在 这 运行 sections 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率 condi-
tions 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性. 谈及 也 至 这 意法半导体 确信 程序 和 其它 相关的qual-
ity documents.
2.
最小 电压 将 undershoot 至 –2v 在 转变 和 为 较少 比 20ns 在 transitions.
标识 参数 值 单位
T
一个
包围的 运行 温度 (温度 范围 选项 1) 0 至 70
°C
包围的 运行 温度 (温度 范围 选项 6) –40 至 85 °C
包围的 运行 温度 (温度 范围 选项 3) –40 至 125 °C
T
偏差
温度 下面 偏差 –50 至 125 °C
T
STG
存储 温度 –65 至 150 °C
V
IO
(2)
输入 或者 输出 电压 –0.6 至 6 V
V
CC
供应 电压 –0.6 至 6 V
V
ID
identification 电压 –0.6 至 13.5 V
表格 3. 顶 激励 块 地址,
M29F400BT
#
大小
(kbyte
s)
地址 范围
(x8)
地址 范围
(x16)
10 16 7c000h-7ffffh 3e000h-3ffffh
9 8 7a000h-7bfffh 3d000h-3dfffh
8 8 78000h-79fffh 3c000h-3cfffh
7 32 70000h-77fffh 38000h-3bfffh
6 64 60000h-6ffffh 30000h-37fffh
5 64 50000h-5ffffh 28000h-2ffffh
4 64 40000h-4ffffh 20000h-27fffh
3 64 30000h-3ffffh 18000h-1ffffh
2 64 20000h-2ffffh 10000h-17fffh
1 64 10000h-1ffffh 08000h-0ffffh
0 64 00000h-0ffffh 00000h-07fffh
表格 4. bottom 激励 块 地址,
M29F400BB
#
大小
(kbyte
s)
地址 范围
(x8)
地址 范围
(x16)
10 64 70000h-7ffffh 38000h-3ffffh
9 64 60000h-6ffffh 30000h-37fffh
8 64 50000h-5ffffh 28000h-2ffffh
7 64 40000h-4ffffh 20000h-27fffh
6 64 30000h-3ffffh 18000h-1ffffh
5 64 20000h-2ffffh 10000h-17fffh
4 64 10000h-1ffffh 08000h-0ffffh
3 32 08000h-0ffffh 04000h-07fffh
2 8 06000h-07fffh 03000h-03fffh
1 8 04000h-05fffh 02000h-02fffh
0 16 00000h-03fffh 00000h-01fffh
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