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资料编号:85173
 
资料名称:CD4046BMS
 
文件大小: 109.62K
   
说明
 
介绍:
CMOS Micropower Phase Locked Loop
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
7-890
specifications cd4046bms
安静的 泄漏
阶段 比较器
(偏差 放大 泄漏)
偏差 lkg vdd = 5
vin =
vdd 或者
管脚 14 打开
管脚 5 = vdd
1, 2 +25
o
c/-55
o
C - 0.2 毫安
管脚 14 = vss 或者 vdd
管脚 5 = vdd
1, 2 +25
o
c/-55
o
c- 20
µ
一个
vdd = 10
vin =
vdd 或者
管脚 14 打开
管脚 5 = vdd
1, 2 +25
o
c/-55
o
C - 1.0 毫安
管脚 14 = vss 或者 vdd
管脚 5 = vdd
1, 2 +25
o
c/-55
o
c- 40
µ
一个
vdd = 15
vin =
vdd 或者
管脚 14 打开
管脚 5 = vdd
1, 2 +25
o
c/-55
o
C - 1.5 毫安
管脚 14 = vss 或者 vdd
管脚 5 = vdd
1, 2 +25
o
c/-55
o
c- 80
µ
一个
交流 结合 信号 在-
放 电压 敏锐的
(顶峰 至 顶峰)
VS vdd = 10v, 输入 频率 =
100khz sine 波
1, 2 +25
o
C - 660 mV
vdd = 15v, 输入 频率 =
100khz sine 波
1, 2 +25
o
C - 1800 mV
注释:
1. 所有 电压 关联 至 设备 地.
2. 这 参数 列表 在 表格 3 是 控制 通过 设计 或者 处理 和 是 不 直接地 测试. 这些 参数 是 典型
在 最初的 设计 释放 和 在之上 设计 改变 这个 将 影响 这些 特性.
表格 4. 邮递 irradiation 电的 效能 特性
参数 标识 情况 注释 温度
限制
UNITSMIN 最大值
供应 电流 IDD vdd = 20v, vin = vdd 或者 地 1, 4 +25
o
c-25
µ
一个
n 门槛 电压 VNTH vdd = 10v, iss = -10
µ
一个 1, 4 +25
o
C -2.8 -0.2 V
n 门槛 电压
Delta
VTN vdd = 10v, iss = -10
µ
一个 1, 4 +25
o
c-
±
1V
p 门槛 电压 VTP vss = 0v, idd = 10
µ
一个 1, 4 +25
o
C 0.2 2.8 V
p 门槛 电压
Delta
VTP vss = 0v, idd = 10
µ
一个 1, 4 +25
o
c-
±
1V
函数的 F vdd = 18v, vin = vdd 或者 地 1 +25
o
C voh >
vdd/2
vol <
vdd/2
V
vdd = 3v, vin = vdd 或者 地
交流 结合 信号 输入
电压 敏锐的
VS vdd = 5v
输入 频率 = 100khz
sine 波
1, 2, 3 +25
o
C - 1.35 x
+25
o
C
限制
mV
注释: 1. 所有 电压 关联 至 设备 地.
2. go/非 go 测试 和 限制 应用 至 输入.
3. 看 表格 2 为 +25
o
c 限制.
表格 5. 烧-在 和 生命 测试 delta 参数 +25
O
C
参数 标识 delta 限制
供应 电流 - msi-2 IDD
±
1.0
µ
一个
输出 电流 (下沉) IOL5
±
20% x 前-测试 读
输出 电流 (源) IOH5A
±
20% x 前-测试 读
表格 3. 电的 效能 特性
(持续)
参数 标识 情况 注释 温度
限制
UNITSMIN 最大值
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