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资料编号:856812
 
资料名称:M58LW064D
 
文件大小: 783K
   
说明
 
介绍:
64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
 
 


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M58LW064D
当 这 程序/擦掉 控制 是 空闲, 或者 sus-
pended, sts 能 float 高 通过 一个 拉-向上 re-
sistor. 这 使用 的 一个 打开-流 输出 准许 这
sts 管脚 从 一些 memories 至 是 连接
至 一个 单独的 拉-向上 电阻 (一个 低 将 表明 那
一个, 或者 更多, 的 这 memories 是 busy).
sts 是 不 低 在 一个 重置 除非 这 重置 是
应用 当 这 程序/擦掉 控制 是
起作用的
程序/擦掉 使能 (v
PEN
).
这 程序/
擦掉 使能 输入, v
pen,
是 使用 至 保护 所有
blocks, 阻止 程序 和 擦掉 行动
从 影响 它们的 数据.
程序/擦掉 使能 必须 是 保持 高 在
所有 程序/擦掉 控制 行动, 其它-
wise 这 行动 是 不 有保证的 至 succeed
和 数据 将 变为 corrupt.
V
DD
供应 电压.
V
DD
提供 这 电源
供应 至 这 内部的 核心 的 这 记忆 设备.
它 是 这 主要的 电源 供应 为 所有 行动
(读, 程序 和 擦掉).
V
DDQ
供应 电压.
V
DDQ
提供 这 电源
供应 至 这 i/o 管脚 和 使能 所有 输出 至
是 powered independently 从 v
DD
. v
DDQ
能 是
系 至 v
DD
或者 能 使用 一个 独立的 供应.
它 是 推荐 至 电源-向上 和 电源-向下
V
DD
和 v
DDQ
一起 至 避免 任何 情况 那
将 结果 在 数据 corruption.
V
SS
地面.
地面, v
ss,
是 这 涉及 为
这 核心 电源 供应. 它 必须 是 连接 至 这
系统 地面.
V
SSQ
地面.
V
SSQ
地面 是 这 涉及 为
这 输入/输出 电路系统 驱动 用 v
DDQ
. v
SSQ
必须 是 连接 至 v
SS
.
便条: 各自 设备 在 一个 系统 应当 有
V
DD
V
DDQ
decoupled 和 一个 0.1µf 陶瓷的
电容 关闭 至 这 管脚 (高 频率, 在-
herently 低 电感 电容 应当 是
作 关闭 作 可能 至 这 包装). 看图-
ure 8., 交流 度量 加载 电路.
表格 2. 设备 使能
便条: 为 单独的 设备 行动, e2 和 e1 能 是 连接 至 v
SS
.
E2 E1 E0 设备
V
IL
V
IL
V
IL
使能
V
IL
V
IL
V
IH
无能
V
IL
V
IH
V
IL
无能
V
IL
V
IH
V
IH
无能
V
IH
V
IL
V
IL
使能
V
IH
V
IL
V
IH
使能
V
IH
V
IH
V
IL
使能
V
IH
V
IH
V
IH
无能
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