记忆
flash 2ts 记忆
mc68hc908rf2 — rev. 4.0 数据 薄板
MOTOROLA 记忆 31
2.5.3 flash 2ts 擦掉 运作
使用 这个 步伐-用-步伐 程序 至 擦掉 一个 块 的 flash 2ts 记忆. 谈及 至
14.12 记忆 特性
为 一个 详细地 描述 的 这 时间 使用 在 这个
algorithm.
1. 设置 这 擦掉, blk0, blk1, 和 fdiv0 位 在 这 flash 2ts 控制
寄存器. 谈及 至
表格 2-2
为 fdiv settings 和 至
表格 2-3
为 块
sizes.
2. 确保 目标 portion 的 排列 是 unprotected 用 读 这 块 保护
寄存器 在 地址 $fff0. 谈及 至
2.5.5 flash 2ts 块 保护
和
2.5.6 flash 2ts 块 保护 寄存器
为 更多 信息.
3. 写 至 任何 flash 2ts 地址 with 任何 数据 在里面 这 块 地址
范围 desired.
4. 设置 这 hven 位.
5. wait 为 一个 时间, t
擦掉
.
6. clear 这 hven 位.
7. wait 为 一个 时间, t
Kill
, 为 这 高 电压 至 dissipate.
8. clear 这 擦掉 位.
9. 之后 一个 时间, t
HVD
, 这 记忆 能 是 accessed 在 读 模式 又一次.
便条:
当 这些 行动 必须 是 执行在 这 顺序 显示, 其它 unrelated
行动 将 出现 在 这 步伐.
表格 2-3
显示 这 各种各样的 块 sizes这个 能 是 erased 在 一个 擦掉
运作.
在 步伐 3 的 这 擦掉 运作, 这 cared 地址 是 latched 和 使用
至 决定 这 location 的 这 块 至 是 erased. 为 instance, 和
blk0 = blk1 = 0, writing 至 任何 flash 2ts 地址 在 这 范围 $7800 至 $78f0
将 使能 这 擦掉 的 所有 flash 记忆.
表格 2-3. 擦掉 块 sizes
BLK1 BLK0 块 大小, 地址 cared
0 0 全部 排列: 2 kbytes
0 1 一个-half 排列: 1 kbyte
1 0 第八 rows: 64 字节
1 1 单独的 行: 8 字节
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