april 1998 5-31
MIC4416 Micrel
5
电源 消耗
这 最大 电源 消耗 必须 不 是 超过 至
阻止 消逝 meltdown 或者 deterioration.
电源 消耗 在 开关 转变 产品 是 negligible.
快 repetitive 切换 产品, 此类 作 smps (转变-
模式 电源 供应), 导致 一个 重大的 增加 在 电源
消耗 和 频率. 电源 是 dissipated 各自 时间
电流 passes 通过 这 内部的 输出 mosfets 当
charging 或者 discharging 这 外部 场效应晶体管. 电源 是 也
dissipated 在 各自 转变 当 一些 电流 momen-
tarily passes 从 vs 至 地 通过 两个都 内部的 mosfets.
电源 消耗 是 这 产品 的 供应 电压 和 供应
电流:
1) P
D
= v
S
×
I
S
在哪里:
P
D
= 电源 消耗 (w)
V
S
= 供应 电压 (v)
I
S
= 供应 电流 (一个) [see paragraph below]
供应 电流 是 一个 函数 的 供应 电压, 切换
频率, 和 加载 电容. 决定 这个 值 从
这 “typical 特性: 供应 电流 vs. frequency”
图表 或者 measure 它 在 这 真实的 应用.
做 不 准许 p
D
至 超过 p
d (最大值)
, 在下.
T
J
(接合面 温度) 是 这 总 的 t
一个
(包围的 tempera-
ture) 和 这 温度 上升 横过 这 热的 阻抗
的 这 包装. 在 另一 表格:
2)
P
150 T
220
D
一个
≤
−
在哪里:
P
d (最大值)
= 最大 电源 消耗 (w)
150 = 绝对 最大 接合面 温度 (
°
c)
T
一个
= 包围的 温度 (
°
c) [68
°
f = 20
°
C]
220 = 包装 热的 阻抗 (
°
c/w)
最大 电源 消耗 在 20
°
c 和 这 驱动器 焊接
至 一个 0.25in
2
地面 平面 是 大概 600mw.
CTL
G
VS
地
pcb 热温 下沉/
地面 平面
pcb 查出
图示 4. 热温-下沉 平面
这 sot-143 包装
θ
JA
(接合面-至-包围的 热的 re-
sistance) 能 是 改进 用 使用 一个 热温 下沉 大 比 这
指定 0.25in
2
地面 平面. 重大的 热温 转移
occurs 通过 这 大 (地) 含铅的. 这个 含铅的 是 一个
extension 的 这 paddle 至 这个 这 消逝 是 连结.
高-频率 运作
虽然 这 mic4416/7 驱动器 将 运作 在 发生率
更好 比 1mhz, 这 场效应晶体管’s 电容 和 这 加载
将 影响 这 输出 波形 (在 这 场效应晶体管’s 流).
为 例子, 一个 mic4416/irl3103 测试 电路 使用 一个 47
Ω
5w 加载 电阻 将 生产 一个 输出 波形 那 closely
matches 这 输入 信号 shape 向上 至 关于 500khz. 这
一样 测试 电路 和 一个 1k
Ω
加载 电阻 运作 仅有的 向上 至
关于 25khz 在之前 这 场效应晶体管 源 波形 显示
重大的 改变.
VS
CTL
G
地
MIC4416
+4.5v 至 18v
1
32
4
逻辑
输入
+5V
逻辑-水平的
场效应晶体管
IRL3103*
* 国际的 整流器
14m
Ω
, 30v 场效应晶体管,
逻辑-水平的, v
GS
=
±
20v 最大值
4.7µf
0.1µf
对比
47k
Ω
, 5w
至
1k
Ω
, 1/4w
负载
G
D
S
slower 上升 时间
observed 在
场效应晶体管’s 流
图示 5. 场效应晶体管 电容 影响 在 高
切换 频率
当 这 场效应晶体管 是 驱动 止, 这 slower 上升 occurs
因为 这 场效应晶体管’s 输出 电容 recharges 通过
这 加载 阻抗 (rc 电路). 一个 更小的 加载 阻抗
准许 这 输出 至 上升 faster. 为 这 fastest 驱动器 opera-
tion, choose 这 smallest 电源 场效应晶体管 那 将 safely
handle 这 desired 电压, 电流, 和 安全 余裕. 这
smallest mosfets 一般地 有 这 最低 电容.
: 点此下载
