相似物 整体的 电路 设备 数据
freescale 半导体 15
908E621
动态 电的 特性
动态 电的特性
表格 4. 动态 electrical 特性
所有 特性 是 为 这 相似物 碎片 仅有的. 请 refer 至 这 68hc908ey16 数据手册 为 特性 的 这
微控制器 碎片. characteristics 指出 下面 情况 9.0 V
≤
V
SUP
≤
16 v, -40
°
C
≤
T
J
≤
125
°
c 除非 否则 指出.
典型 值 指出 反映 这 近似的 参数 意思 在 t
一个
= 25
°
c 下面 名义上的 情况 除非 否则 指出.
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
lin 物理的 layer
驱动器 特性 为 正常的 回转 比率
(25)
,
(26)
首要的 传播 延迟 txd 至 lin t
dom-
最小值
——50
µ
s
首要的 传播 延迟 txd 至 lin t
dom-
最大值
——50
µ
s
recessive 传播 延迟 txd 至 lin t
rec-
最小值
——50
µ
s
recessive 传播 延迟 txd 至 lin t
rec-
最大值
——50
µ
s
职责 循环 1: d1 = t
总线_rec(最小值)
/ (2 x t
位
), t
位
= 50
µ
s, v
SUP
= 7.0v..18v D1
0.396 – –
职责 循环 2: d2 = t
总线_rec(最大值)
/ (2 x t
位
), t
位
= 50
µ
s, v
SUP
= 7.6v..18v D2
– – 0.581
驱动器 特性 为 慢 回转 比率
(25)
,
(27)
首要的 传播 延迟 txd 至 lin t
dom-
最小值
— — 100
µ
s
首要的 传播 延迟 txd 至 lin t
dom-
最大值
— — 100
µ
s
recessive 传播 延迟 txd 至 lin t
rec-
最小值
— — 100
µ
s
recessive 传播 延迟 txd 至 lin t
rec-
最大值
— — 100
µ
s
职责 循环 3: d3 = t
总线_rec(最小值)
/ (2 x t
位
), t
位
= 96
µ
s, v
SUP
= 7.0v..18v D3
0.417 – –
职责 cycle4: d4 = t
总线_rec(最大值)
/ (2 x t
位
), t
位
= 96
µ
s, v
SUP
= 7.6v..18v D4
– – 0.590
驱动器 特性 为 快 回转 比率
lin 高 回转 比率 (程序编制 模式) SR
快
—20—v/
µ
s
接受者 特性 和 wake-向上 timings
接受者 首要的 传播 延迟
(28)
t
RL
—3.56.0
µ
s
接受者 recessive 传播 延迟
(28)
t
RH
—3.56.0
µ
s
接受者 传播 延迟 对称 t
r-sym
-2.0 — 2.0
µ
s
总线 wake-向上 deglitcher t
PROPWL
30 50 150
µ
s
总线 wake-向上 事件 reported
(29)
t
WAKE
—20—
µ
s
注释
25. V
SUP
从 7.0 v 至 18 v, 总线 加载 r0 和 c0 1.0 nF/1.0 k
Ω
, 6.8 nF/660
Ω
, 10 nF/500
Ω
. 度量 门槛: 50% 的 txd 信号
至 lin 信号 门槛 定义 在 各自 参数.
26. 看图示 6
, 页 18.
27. 看图示 7
, 页 19.
28. 量过的 在 lin 信号 门槛 v
IL
或者 v
IH
和 50% 的 rxd 信号.
29. t
WAKE
是 典型地 2 内部的时钟 循环 之后 linrising 边缘 发现. 看图示 9和图示 8, 页 19. 在 睡眠 模式 这 v
DD
上升 时间 是 strongly 依赖 在之上 这 decoupling 电容 在 vdd 终端.
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