最大 比率 (t
一个
= 25
°
c)
比率 标识 最大值 单位
collector–emitter 电压 V
CEO
–30 Vdc
collector–base 电压 V
CBO
–50 Vdc
emitter–base 电压 V
EBO
–5.0 Vdc
集电级 电流 – 持续的 I
C
–1.0 模数转换器
集电级 电流 – 顶峰 I
CM
–2.0 一个
设备 标记
mmbt589lt1 = g3
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
(1)
310
2.5
mW
mw/
°
C
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 R
JA
(1)
403
°
c/w
总的 设备 消耗
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
(2)
710
5.7
mW
mw/
°
C
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 R
JA
(2)
176
°
c/w
总的 设备 消耗
(单独的 脉冲波 < 10 秒.)
P
Dsingle
(3)
575
mW
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
stg
–55 至 +150
°
C
1. fr–4 @ 最小 垫子
2. fr–4 @ 1.0 x 1.0 inch 垫子
3. ref: 图示 8
半导体 组件 industries, llc, 2001
8月, 2001 – rev. 1
1
发行 顺序 号码:
mmbt589lt1/d
1
2
3
情况 318–08, 样式 6
sot–23 (to–236ab)
30 伏特
2.0 放大器
pnp 晶体管
: 点此下载
