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资料编号:873307
 
资料名称:MMBT589LT1
 
文件大小: 113K
   
说明
 
介绍:
High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
MMBT589LT1
http://onsemi.com
2
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 最大值 单位
止 特性
collector–emitter 损坏 电压
(i
C
= –10 madc, i
B
= 0)
V
(br)ceo
–30
Vdc
collector–base 损坏 电压
(i
C
= –0.1 madc, i
E
= 0)
V
(br)cbo
–50
Vdc
emitter–base 损坏 电压
(i
E
= –0.1 madc, i
C
= 0)
V
(br)ebo
–5.0
Vdc
集电级 截止 电流
(v
CB
= –30 vdc, i
E
= 0)
I
CBO
–0.1
模数转换器
collector–emitter 截止 电流
(v
CES
= –30 vdc)
I
CES
–0.1
模数转换器
发射级 截止 电流
(v
EB
= –4.0 vdc)
I
EBO
–0.1
模数转换器
在 特性
直流 电流 增益
(1)
(图示 1)
(i
C
= –1.0 毫安, v
CE
= –2.0 v)
(i
C
= –500 毫安, v
CE
= –2.0 v)
(i
C
= –1.0 一个, v
CE
= –2.0 v)
(i
C
= 2.0 一个, v
CE
= –2.0 v)
h
FE
100
100
80
40
300
collector–emitter 饱和 电压
(1)
(图示 3)
(i
C
= –0.5 一个, i
B
= –0.05 一个)
(i
C
= –1.0 一个, i
B
= 0.1 一个)
(i
C
= –2.0 一个, i
B
= –0.2 一个)
V
ce(sat)
–0.25
–0.30
–0.65
V
base–emitter 饱和 电压
(1)
(图示 2)
(i
C
= –1.0 一个, i
B
= –0.1 一个)
V
是(sat)
–1.2
V
base–emitter turn–on 电压
(1)
(i
C
= –1.0 一个, v
CE
= –2.0 v)
V
是(在)
–1.1
V
截止 频率
(i
C
= –100 毫安, v
CE
= –5.0 v, f = 100 mhz)
f
T
100
MHz
输出 电容 (f = 1.0 mhz) Cobo 15 pF
1. 搏动 情况: 脉冲波 宽度 = 300 msec, 职责 循环
2%
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