PCM1796DBR_集成电路资料查询网

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SLES100− 12月 2003
www.德州仪器.com
20
t
(mch)
1.4 v
MS
t
(mss)
LSB
1.4 v
1.4 v
t
(mcl)
t
(mhh)
t
(msh)
t
(mcy)
t
(mdh)
t
(mds)
MC
MDI
t
(mos)
50% 的 v
DD
MDO
参数 最小值 最大值 单位
t
(mcy)
mc 脉冲波 循环 时间 100 ns
t
(mcl)
mc 低-水平的 时间 40 ns
t
(mch)
mc 高-水平的 时间 40 ns
t
(mhh)
MS高-水平的 时间 80 ns
t
(mss)
MS下落 边缘 至 mc rising 边缘 15 ns
t
(msh)
MS支撑 时间
(1)
15 ns
t
(mdh)
mdi 支撑 时间 15 ns
t
(mds)
mdi 建制 时间 15 ns
t
(mos)
mc 下落 边缘 至 mdo 稳固的 30 ns
(1)
mc rising 边缘 为 lsb 至 msrising 边缘
图示 30. 控制 接口 定时

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 SLES100− 12月 2003 www.德州仪器.com 20 t (mch) 1.4 v MS t (mss) LSB 1.4 v 1.4 v t (mcl) t (mhh) t (msh) t (mcy) t (mdh) t (mds) MC MDI t (mos) 50% 的 v DD MDO 参数最小值最大值单位 t (mcy) mc 脉冲波循环时间 100 ns t (mcl) mc 低-水平的时间 40 ns t (mch) mc 高-水平的时间 40 ns t (mhh) MS高-水平的时间 80 ns t (mss) MS下落边缘至 mc rising 边缘 15 ns t (msh) MS支撑时间 (1) 15 ns t (mdh) mdi 支撑时间 15 ns t (mds) mdi 建制时间 15 ns t (mos) mc 下落边缘至 mdo 稳固的 30 ns (1) mc rising 边缘为 lsb 至 msrising 边缘图示 30. 控制接口定时

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