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资料编号:885266
 
资料名称:S29WS064N0LBFW012
 
文件大小: 1091K
   
说明
 
介绍:
256/128/64 MEGABIT CMOS 1.8 VOLT ONLY SIMULTANEOUS READ/WRITE BURST MODE FLASH MEMORY
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
january 25, 2005 s29ws-n_00_g0
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进步 信息
once. 这 计数器 decrements 为各自 数据 加载 运作, 非t 为 各自 唯一的 写-缓存区-
地址 location. once 这 指定 号码 的 write 缓存区 locations 有 被 承载, 这 sys-
tem 必须 然后 写 这 “program 缓存区 至 flash” command 在 这 sector 地址. 任何 其它
地址/数据 写 结合体abort 这 写 缓存区 programming 运作. 这 设备 变得
“busy.” 这 数据 柱状 polling 技巧 应当 是使用 当 monitoring 这 last 地址 location
承载 在 这 写 缓存区. 这个 排除 这 需要 至 store 一个 地址 在 记忆 因为 这
系统 能 加载 这 last address location, 公布 这 程序 confirm command 在 这 last 承载
地址 location, 和 然后 数据 柱状 poll 在 那一样 地址. dq7, dq6, dq5, dq2, 和 dq1
应当 是 监控 至 决定 这 设备状态 在 写 缓存区 程序编制.
这 写-缓存区 “embedded” 程序编制 operation 能 是 suspended 使用 这 标准 sus-
pend/重新开始 commands. 在之上 successful completion 的 这 写 缓存区 程序编制 运作,
这 设备 returns 至 读 模式.
这 写 缓存区 程序编制 sequence 是 aborted 下面 任何 的 这 下列的 情况:
加载 一个 值 那 是 更好 比 这 页 buffer 大小 在 这 “number 的 locations 至
program” 步伐.
写 至 一个 地址 在 一个 sector 不同的 th一个 这 一个 指定 在 这 写-缓存区-
加载 command.
写 一个 地址/数据 一双 至 一个 不同的 write-缓存区-页 比 这 一个 选择 用 这
“starting address” 在 这 “write buffer 数据 loading” 平台 的 这 运作.
写 数据 其它 比 这 “confirm command” 之后 这 指定 号码 的 “data load”
循环.
这 abort 情况 是 表明 用 dq1 = 1,dq7 = data# (为 这 “last 地址 location
loaded”), dq6 = toggle, dq5 = 0. 这个 表明s 那 这 写 缓存区 程序编制 运作
是 aborted. 一个 “write-至-缓存区-abort reset” command sequence 是 必需的 当 使用 这
写 缓存区 程序编制 特性 在 unlock 用通过 模式. 便条 那 这 secured 硅 sector,
autoselect, 和 cfi 功能是 无法得到 当 一个 程序运作 是 在 progress.
写 缓存区 程序编制 是 允许 在 任何 sequence 的 记忆 (或者 地址) locations. 这些
flash 设备 是 有能力 的 handling 多样的 写 缓存区 programming 行动 在 这 一样
写 缓存区 地址 范围 没有 intervening erases.
使用 的 这 写 缓存区 是 strongly 推荐 为 程序编制 当 多样的 words 是 至 是
编写程序. 写 缓存区 程序编制 是 approximately 第八 时间 faster 比 程序编制
一个 文字 在 一个 时间.
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