january 25, 2005 s29ws-n_00_g0
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进步 信息
7.6 同时发生的 读/写
这 同时发生的 读/写 feature 准许 这 host 系统 至 read 数据 从 一个 bank 的 mem-
ory 当 程序编制 或者 erasing 另一 bank 的 记忆. 一个 擦掉 运作 将 也 是
suspended 至 读 从 或者 程序 另一 location 在里面 这 一样 bank (除了 这 sector
正在 erased).图示 11.24,后面的-至-后面的 读/写 循环 timings, 显示 如何 读 和 写
循环 将 是 initiated 为 同时发生的 运算限定 和 零 latency. 谈及 至 这直流 character-
istics (cmos 兼容)表格 为 读-当-程序和 读-当-擦掉 电流
规格.
7.7 writing commands/command sequences
当 这 设备 是 配置为 异步的 读, 仅有的 异步的 写 行动 是
允许, 和 clk 是 ignored. 当 在 这 synchronous 读 模式 配置, 这 设备 是 能
至 执行 两个都 异步的 和 同步的写 行动. clk 和 avd# induced 地址
latches 是 supported 在 这 同步的 programming 模式. 在 一个 同步的 写 oper-
ation, 至 写 一个 command 或者 command sequence (这个 includes 程序编制 数据 至 这
设备 和 erasing sectors 的 记忆), the 系统 必须 驱动 avd# 和 ce# 至 v
IL
, 和 oe#
至 v
IH
当 供应 一个 地址 至 这设备, 和 驱动 we# 和 ce# 至 v
IL
, 和 oe# 至 v
IH
当 writing commands 或者 数据. 在 一个 asynchronous 写 运作, 这 系统 必须 驱动
ce# 和 we# 至 v
IL
和 oe# 至 v
IH
当 供应 一个 地址, command, 和 数据. 地址
是 latched 在 这 last 下落 边缘 的 we# 或者 ce#,当 数据 是 latched 在 这 1st rising 边缘 的
we# 或者 ce#. 一个 擦掉 运作 能 擦掉 一个 sector, 多样的 sectors, 或者 这 全部 设备.
Tables6.1–6.3表明 这 地址 空间 那 各自 sect或者 occupies. 这 设备 地址 空间 是
分隔 在 十六 banks: banks 1 通过 14 contain 仅有的 64 kword sectors, 当 banks 0 和
15 包含 两个都 16 kword 激励 sectors 在 增加 至 64 kword sectors. 一个 “bank address” 是 这
设置 的 地址 位 必需的 至 uniquely 选择 一个 bank. similarly, 一个 “sector address” 是 这 地址
位 必需的 至 uniquely 选择 一个 sector. i
CC2
在 “dc characteristics” 代表 这 起作用的 电流
规格 为 这 写 模式. “ac characteristics-synchronous” 和 “ac 特性-asyn-
chronous” 包含 定时 规格 tables和 定时 图解 为 写 行动.
7.8 handshaking
这 handshaking 特性 allows 这 host 系统 至 发现 当 data 是 准备好 至 是 读 用 simply
monitoring 这 rdy (准备好) 管脚, 这个 是一个 专心致志的 输出 和 控制 用 ce#.
当 这 设备 是 配置 至 运作 在 同步hronous 模式, 和 oe# 是 低 (起作用的), 这 最初的
文字 的 burst 数据 变为 有 之后 也 这 下落 或者 rising 边缘 的 这 rdy 管脚 (de-
pending 在 这 设置 为 位 10 在 这 配置 寄存器). 它 是 推荐 那 这 host
系统 设置 cr13–cr11 在 这 configuration 寄存器 至 这 适合的 号码 的 wait states 至
确保 最优的 burst 模式 运作 (看Table7.8,配置 寄存器).
位 8 在 这 配置 寄存器 准许 这 host至 具体说明 whether rdy 是 起作用的 在 这 一样
时间 那 数据 是 准备好, 或者 一个 循环 在之前 数据 是 准备好.
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