发行 号码
s29ws-n_00
修订
G
Amendment
0
公布 日期
january 25, 2005
一般 描述
这 spansion s29ws256/128/064n 是 mirrorbit
TM
flash 产品 fabricated 在 110nm 处理 技术. 这些 burst
模式 flash 设备 是 有能力 的 performing 同时发生的 read 和 写 行动 和 零 latency 在 二 独立的
banks 使用 独立的 数据 和 地址 管脚. 这些 产品 能 运作 向上 至 80 mhz 和 使用 一个 单独的 v
CC
的
1.7 v 至 1.95 v 那 制造 它们 完美的 为 today’s 要求无线的 产品 需要 高等级的 密度, 更好的 每-
formance 和 lowered 电源 消耗量.
distinctive 特性
单独的 1.8 v 读/program/擦掉 (1.70–1.95 v)
110 nm mirrorbit™ 技术
同时发生的 读/写 运作 和 零
latency
32-文字 写 缓存区
十六-bank architecture consisting 的 16/8/4
mwords 为 ws256n/128n/064n, 各自
四 16 kword sectors 在 两个都 顶 和 bottom 的
记忆 排列
254/126/62 64 kword sectors (ws256n/128n/
064n)
可编程序的 burst 读 模式
— 直线的 为 32, 16 或者 8 words 直线的 读 和 或者
没有 wrap-周围
— 持续的 sequential 读 模式
secsi™ (secured 硅) sector 区域 consisting
的 128 words 各自 为 工厂 和 客户
20-年 数据 保持 (典型)
cycling 忍耐力: 100,000 循环 每 sector
(典型)
rdy 输出 indicates 数据 有 至 系统
command 设置 兼容 和 电子元件工业联合会 (42.4)
标准
硬件 (wp#) 保护 的 顶 和 bottom
sectors
双 激励 sector 配置 (顶 和 bottom)
offered 包装
— ws064n: 80-球 fbga (7 mm x 9 mm)
— ws256n/128n: 84-球 fbga (8 mm x 11.6 mm)
低 v
CC
写 inhibit
persistent 和 password 方法 的 先进的
sector 保护
写 运作 状态 位 表明 程序 和
擦掉 运作 completion
suspend 和 重新开始 commands 为 程序 和
擦掉 行动
unlock 绕过 程序 command 至 减少
程序编制 时间
同步的 或者 异步的 程序 运作,
独立 的 burst 控制 寄存器 settings
acc 输入 管脚 至 减少 工厂 程序编制 时间
支持 为 一般 flash 接口 (cfi)
工业的 温度 范围 (联系 工厂)
效能 特性
s29ws-n mirrorbit™ flash 家族
s29ws256n, s29ws128n, s29ws064n
256/128/64 megabit (16/8/4 m x 16-位) cmos 1.8 volt-only
同时发生的 读/写, burst 模式 flash 记忆
数据 薄板
进步
信息
读 进入 时间
速 选项 (mhz) 80 66 54
最大值 synch. latency, ns (t
IACC
)808080
最大值 synch. burst 进入, ns (t
BACC
) 9 11.2 13.5
最大值 asynch. 进入 时间, ns (t
ACC
)808080
最大值 ce# 进入 时间, ns (t
CE
)808080
最大值 oe# 进入 时间, ns (t
OE
) 13.5 13.5 13.5
电流 消耗量 (典型 值)
持续的 burst 读 @ 66 mhz 35 毫安
同时发生的 运作 (异步的) 50 毫安
程序 (异步的) 19 毫安
擦掉 (异步的) 19 毫安
备用物品 模式 (异步的) 20 µa
典型 程序 &放大; 擦掉 时间
单独的 文字 程序编制 40 µs
有效的 写 缓存区 程序编制 (v
CC
) 每 文字 9.4 µs
有效的 写 缓存区 程序编制 (v
ACC
) 每 文字 6 µs
sector 擦掉 (16 kword sector) 150 ms
sector 擦掉 (64 kword sector) 600 ms
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