6 s29ws-n mirrorbit™ flash 家族
s29ws-n_00_g0january 25, 2005
进步 信息
1 订货 信息
这 订货 部分 号码 是 formed 用一个 有效的 结合体 的 这 下列的:
S29WS 256 N 0S BA W 01 0
包装 类型
0 = tray (标准; 看 便条 1)
2 = 7-inch 录音带 和 卷轴
3 = 13-inch 录音带 和 卷轴
模型 号码 (便条 3)
(包装 球 计数, 包装 维度, dyb 保护/unprotect 之后
电源-向上)
01 = 84-球, 8 x 11.6 mm, dyb unprotect
11 = 80-球, 7 x 9 mm, dyb 保护
温度 范围 (便条 3)
W = 无线的 (–25
°
c 至 +85
°
c)
i = 工业的 (–40
°
c 至 +85
°
c, 联系 工厂 为 有效性)
包装 类型 和 材料
BA = 非常 薄的 fine-程度 bga, 含铅的 (铅)-自由 一致的 包装
BF = 非常 薄的 fine-程度 bga, 含铅的 (铅)-自由 包装
速 选项 (burst 频率)
0S = 80 mhz (联系 工厂 为 有效性)
0P = 66 mhz
0L = 54 mhz
处理 技术
N = 110 nm mirrorbit™ 技术
flash 密度
256 = 256 mb
128 = 128 mb
064 = 64 mb
设备 家族
S29WS= 1.8 volt-仅有的 同时发生的 读/写, burst 模式 flash 记忆
s29ws-n 有效的 结合体 (注释 1, 2, 3)
V
IO
范围
DYBPower
向上 状态
包装 类型
(便条 2)
根基 订货
部分 号码
产品
状态
速
选项
包装 类型,
材料, &放大;
温度 范围
模型
号码
包装
Ty p e
S29WS256N 初步的
0s, 0p, 0l
baw (
含铅的 (铅)-自由
一致的),
bfw (
含铅的 (铅)-自由)
01
0, 2, 3
(便条 1)
1.70–1.95 v
Unprotect
8 mm x 11.6 mm
84-球
mcp-兼容
11
保护
S29WS128N 进步
01
Unprotect
11
保护
S29WS064N 进步
01
Unprotect 7 mm x 9 mm
80-球
mcp-兼容
11
保护
注释:
1. 类型 0 是 标准. 具体说明 其它 选项 作 必需的.
2. bga 包装 标记 omits leading “s29” 和 包装 类型
designator 从 订货 部分 号码.
3. 为 1.5 v
IO
选项, 其它 激励 选项, 或者 工业的 温度
范围, 联系 your local 销售 办公室.
ValidCombinations
有效的 结合体 列表 configurations planned 至是 supported 在 vol-
ume 为 这个 设备. 咨询 your local 销售 办公室 至 confirm avail-
能力 的 明确的 有效的结合体 和 至 审查 在 newly released
结合体.
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