这 st24/25x08 是 8 kbit 用电气 可擦掉的
可编程序的 memories (可擦可编程只读存储器), 有组织的
作 4 blocks 的 256 x8 位. 它们 是 制造的
在 意法半导体’s hi-忍耐力 先进的
cmos 技术 这个 guarantees 一个 endur-
ance 的 一个 million 擦掉/写 循环 和 一个 数据
保持 的 40 年.
两个都 塑料 双-在-线条 和 塑料 小 外形
包装 是 有.
这 memories 是 兼容 和 这 i
2
c 保卫-
ard, 二 线 串行 接口 这个 使用 一个 bi-direc-
tional 数据 总线 和 串行 时钟. 这 memories
carry 一个 建造-在 4 位, 唯一的 设备 identification
代号 (1010) 相应的 至 这 i
2
c 总线 defini-
tion. 这个 是 使用 一起 和 1 碎片 使能 输入
(e) 所以 那 向上 至 2 x 8k 设备 将 是 连结
至 这 i
2
c 总线 和 选择 individually. 这 memo-
ries behave 作 一个 从动装置 设备 在 这 i
2
c 协议
和 所有 记忆 行动 同步 用 这
串行 时钟. 读 和 写 行动 是 initiated
用 一个 开始 情况 发生 用 这 总线 主控.
这 开始 情况 是 followed 用 一个 stream 的 7
位 (identification 代号 1010), 加 一个 读/写
位 和 terminated 用 一个 acknowledge 位.
SDAV
SS
SCL
模式/wcnc
前 V
CC
E
AI00861E
ST24x08
ST25x08
1
2
3
4
8
7
6
5
图示 2a. 插件 管脚 连接
1
AI01073E
2
3
4
8
7
6
5
SDAV
SS
SCL
模式/wcnc
前 V
CC
E
ST24x08
ST25x08
图示 2b. 所以 管脚 连接
描述
(内容’d)
标识 参数 值 单位
T
一个
包围的 运行 温度 –40 至 125
°
C
T
STG
存储 温度 –65 至 150
°
C
T
含铅的
含铅的 温度, 焊接 (so8 包装)
(psdip8 包装)
40 秒
10 秒
215
260
°
C
V
IO
输入 或者 输出 电压 –0.6 至 6.5 V
V
CC
供应 电压 –0.3 至 6.5 V
V
静电释放
静电的 释放 电压 (人 身体 模型)
(2)
4000 V
静电的 释放 电压 (机器 模型)
(3)
500 V
注释:
1. 除了 为 这 比率 "运行 温度 范围", 压力 在之上 那些 列表 在 这 表格 "绝对 最大 比率"
将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力 比率 仅有的 和 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它
情况 在之上 那些 表明 在 这 运行 sections 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大
比率 情况 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性. 谈及 也 至 这 意法半导体 确信 程序 和 其它
相关的 质量 documents.
2. mil-标准-883c, 3015.7 (100pf, 1500
Ω
).
3. eiaj ic-121 (情况 c) (200pf, 0
Ω
).
表格 2. 绝对 最大 比率
(1)
警告:
nc = 不 连接.
警告:
nc = 不 连接.
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st24/25c08, st24/25w08
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