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资料编号:888974
 
资料名称:STK11C68
 
文件大小: 58K
   
说明
 
介绍:
8K x 8 nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile Static RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
STK11C68
六月 1999 4-23
sram 读 循环 #1 &放大; #2
(v
CC
= 5.0v + 10%)
b
便条 g: w 必须 是 高 在 sram 读 循环 和 低 在 sram 写 循环.
便条 h: i/o 状态 假设
e, g < v
IL
w > v
IH
; 设备 是 continuously 选择.
便条 i: 量过的
±
200mv 从 稳步的 状态 输出 电压.
sram 读 循环 #1:
地址 控制
g, h
sram 读 循环 #2:
E 控制
g
非.
SYMBOLS
参数
stk11c68-20 stk11c68-25 stk11c68-35 stk11c68-45
单位
#1, #2 alt. 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
1t
ELQV
t
ACS
碎片 使能 进入 时间 20 25 35 45 ns
2t
AVAV
g
t
RC
读 循环 时间 20 25 35 45 ns
3t
AVQV
h
t
AA
地址 进入 时间 22 25 35 45 ns
4t
GLQV
t
OE
输出 使能 至 数据 有效的 8 10 15 20 ns
5t
AXQX
h
t
OH
输出 支撑 之后 地址 改变 5555ns
6t
ELQX
t
LZ
碎片 使能 至 输出 起作用的 5555ns
7t
EHQZ
i
t
HZ
碎片 使不能运转 至 输出 inactive 7 10 13 15 ns
8t
GLQX
t
OLZ
输出 使能 至 输出 起作用的 0000ns
9t
GHQZ
i
t
OHZ
输出 使不能运转 至 输出 inactive 7 10 13 15 ns
10 t
ELICCH
f
t
PA
碎片 使能 至 电源 起作用的 0000ns
11 t
EHICCL
e, f
t
PS
碎片 使不能运转 至 电源 备用物品 25 25 35 45 ns
数据 有效的
5
t
AXQX
3
t
AVQV
dq (数据 输出)
地址
2
t
AVAV
6
t
ELQX
备用物品
数据 有效的
8
t
GLQX
4
t
GLQV
dq (数据 输出)
E
地址
2
t
AVAV
G
I
CC
起作用的
1
t
ELQV
10
t
ELICCH
11
t
EHICCL
7
t
EHQZ
9
t
GHQZ
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