z86l88/81/86/87/89/73
ir/低-电压 微控制器
26
p r e l i m i n 一个 r y
DS96LV00800
函数的 描述
这 z86lxx 家族 的 ir ccp 包含 特定的 func-
tions 至 增强 这 z8's 符合实际 在 消费者 和
电池 运作 产品.
程序 记忆
.
这 z86lxx 家族 地址
16/24/32 kbytes 的 内部的 程序 记忆. 这 第一
twelve 字节 是 保留 为 中断 vectors. 这些 lo-
cations 包含 这 five 16-位 vectors 这个 correspond 至
这 five 有 中断. 在 所有 具体情况, 在 地址 32k
和 更好, 外部 程序 记忆 fetches 将 是 ex-
ecuted (提供 恰当的 一个/d 端口 模式 寄存器 settings).
谈及 至 外部 记忆 定时 规格. 在 只读存储器-
较少 模式, 程序 记忆 fetches begin 在 地址
000ch 和 数据 记忆 fetches begin 在 地址 0000h.
内存.
这 z86lxx 设备 所有 有 256 字节 的 内存
这个 制造 向上 这 寄存器 文件.
外部 记忆
(/dm). 这 z86lxx 地址 向上 至 32
kbytes 的 外部 记忆 beginning 在 地址 32768
(图示 20). 外部 数据 记忆 是 包含 和, 或者 sep-
arated 从, 这 外部 程序 记忆 空间. /dm, 一个
optional i/o 函数 那 是 编写程序 至 呈现 在 p34,
是 使用 至 distinguish 在 数据 和 程序 记忆
空间. 这 状态 的 这 /dm 信号 是 控制 用 这 类型
的 操作指南 正在 executed. 一个 ldc opcode references
程序 (/dm inactive) 记忆, 和 一个 lde instruc-
tion references 数据 (/dm 起作用的 低) 记忆.
图示 19. 程序 记忆 编排(32k 只读存储器)
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
外部 只读存储器
location 的
第一 字节 的
操作指南
Executed
之后 重置
中断
Vector
(更小的 字节)
中断
Vector
(upper 字节)
保留
IRQ4
IRQ4
IRQ3
IRQ3
IRQ2
IRQ2
IRQ1
IRQ1
IRQ0
IRQ0
保留
在-碎片
只读存储器
32768
重置 开始 地址
12
图示 20. 外部 记忆 编排
65535
0
外部
数据
记忆
不 addressable
32,768
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